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SKR3F20/12UNF PDF预览

SKR3F20/12UNF

更新时间： 2024-09-30 19:59:43
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
6页 344K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN

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SKR3F20/12UNF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-4
包装说明：DO-4, 1 PIN针数：1
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.45
其他特性：LEAKAGE CURRENT IS TYPICAL应用：FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：2.15 VJEDEC-95代码：DO-203AA
JESD-30 代码：O-MUPM-D1JESD-609代码：e2
最大非重复峰值正向电流：310 A元件数量：1
相数：1端子数量：1
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1200 V最大反向电流：200 µA
最大反向恢复时间：0.6 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：SOLDER LUG端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SKR3F20/12UNF 数据手册

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Fast Recovery Rectifier  
Diodes  
VRSM  
VRRM  
IFRMS (maximum values for continuous operation)  
41 A  
I
FAV (sin. 180; Tcase = 85 °C)  
SKN 2 F 17  
SKN 3 F 20  
SKR 2 F 17  
SKR 3 F 20  
26 A  
trr = 150 ns  
trr = 250 ns  
V
400 SKN 2F17/04  
SKR 2F17/04  
–
–
–
–
SKN 2F17/04UNF SKR 2F17/04UNF  
600 SKN 2F17/06  
SKR 2F17/06  
SKN 2F17/06UNF SKR 2F17/06UNF  
800 SKN 2F17/08  
SKR 2F17/08  
SKN 3F20/08  
SKR 3F20/08  
SKN 2F17/08UNF SKR 2F17/08UNF SKN 3F20/08UNF SKR 3F20/08UNF  
1000 SKN 2F17/10 SKR 2F17/10 SKN 3F20/10 SKR 3F20/10  
SKN 2F17/10UNF SKR 2F17/10UNF SKN 3F20/10UNF SKR 3F20/10UNF  
1200  
–
–
–
–
SKN 3F20/12  
SKN 3F20/12UNF SKR 3F20/12UNF  
SKR 3F20/12  
SKN 2 F 17 SKN 3 F 20  
Units  
Symbol Conditions  
SKR 2 F 17 SKR 3 F 20  
Features  
• Small recovered charge  
• Soft recovery  
• Up to 1200 V reverse voltage  
• Hermetic metal cases with  
glass insulators  
IFAV  
sin.180; Tcase = 85 °C; f=5000 Hz  
26  
–
17  
26  
20  
–
A
A
A
A
A
= 104 °C  
= 113 °C  
sin.180/rec.120; Tamb = 5 °C; K9  
K5  
6,7 /6,5  
10/9,5  
• Threaded studs ISO M5 or  
10-32 UNF  
• SKN: anode to stud  
SKR: cathode to stud  
IFSM  
i2t  
Tvj = 25 °C; 10 ms  
Tvj = 150 °C; 10 ms  
450  
380  
375  
310  
A
A
Tvj = 25 °C; 8,3 ... 10 ms  
Tvj = 150 °C; 8,3 ... 10 ms  
1000  
720  
700  
480  
A2s  
A2s  
Typical Applications  
Qrr  
IRM  
IR  
Tvj = 130 °C; IF = 50 A;  
1,0  
4,5  
1,5  
5
µC  
• Inverse diodes for power  
transistors, GTO thyristors  
asymmetric thyristors  
• SMPS, inverters, choppers  
• For severe ambient conditions  
diF  
dt  
A
µs  
–
= 15  
; VR = 30V  
A
Tvj = 25 °C; VR = VRRM  
Tvj = 130 °C; VR = VRRM  
max. 0,2  
max. 16  
max. 0,2  
max. 20  
mA  
mA  
trr  
Tvj = 25 °C  
Tvj = 130 °C  
max. 150 max. 250  
typ. 300 typ. 500  
ns  
ns  
IF = IR = 1 A  
VF  
Tvj = 25 °C; IF = 50 A  
Tvj = 130 °C  
max. 2,15  
V
V
V(TO)  
rT  
1,3  
12  
Tvj = 130 °C  
mΩ  
Rthjc  
Rthch  
Tvj  
1,2  
°C/W  
°C/W  
°C  
0,5  
– 40 . . . + 150  
– 55 . . . + 150  
Tstg  
°C  
M
SI units  
1,5  
13  
Nm  
US units  
lb.in.  
m/s2  
g
.
a
5 9,81  
w
7
Case  
E7  
© by SEMIKRON  
B 9 – 11  
123456

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