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SKR3F20/06UNF

更新时间: 2024-02-09 03:24:07
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
6页 232K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 26A, 600V V(RRM), Silicon,

SKR3F20/06UNF 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-MUPM-D1
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.82
其他特性:LEAKAGE CURRENT IS TYPICAL应用:FAST SOFT RECOVERY
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):2.15 VJESD-30 代码:O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流:375 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:26 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:600 V
最大反向电流:200 µA最大反向恢复时间:0.25 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

SKR3F20/06UNF 数据手册

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