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SKR3_09

更新时间： 2024-02-03 16:50:36

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		二极管
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DIODE

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SKR3_09 数据手册

SKR 3,5 Qu bond

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

Values

Unit

T_j= 25 °C, I_R= 0.05 mA

T_s= 80 °C, T_j= 150 °C

T_j= 150 °C, 10 ms, sin 180°

V_RRM

I_F(AV)

I²t

1600

A²s

200

220

200

150

T_j= 25 °C

10 ms

I_FSM

sin 180°

T_j= 150 °C

T_jmax

°C

DIODE

Electrical Characteristics

Symbol Conditions

min.

typ.

max.

Unit

I_F(DC)= 25 A

T_j= 25 °C, V_RRM

T_j= 145 °C, V_RRM

T_j= 25 °C, I_F= 8 A

T_j= 125 °C, I_F= 8 A

T_j= 125 °C

I_R

0.05

1.1

V_RRM= 1600 V

Size: 3,5 mm x 3,5 mm

V_F

1.21

1.1

0.9

V_(TO)

r_T

0.83

20.8

SKR 3,5 Qu bond

Features

T_j= 125 °C

mΩ

µs

T_j= 25 °C, ± 1 A

t_rr

Thermal Characteristics

Symbol Conditions

• high current density due to mesa

technology

• high surge current

min.

typ.

max.

Unit

• compatible to thick wire bonding

• compatible to all standard solder

processes

T_j

-40

150

250

320

°C

T_stg

T_solder

10 min.

5 min.

Typical Applications

• uncontrolled rectifier bridges

soldered on 0,38 mm DCB, reference

point on copper heatsink close to the

chip

R_th(j-s)

2.32

K/W

Mechanical Characteristics

Symbol Conditions

Values

Unit

Raster

size

3,5 x 3,5

Area total

Anode

12,25

mm²

bondable (Al)

Cathode

Wire bond

Package

solderable (Ag/Ni)

Al, diameter ≤ 500 µm

wafer frame

Chips /

Package

1229

pcs

SKR

Rev. 0 – 22.09.2009

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