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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> SKR2F50/10UNF
SKR2F50/10UNF PDF预览

SKR2F50/10UNF

更新时间： 2024-02-02 05:01:50
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 整流二极管软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
3页 469K
描述
Fast Recovery Rectifier Diode

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SKR2F50/10UNF 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-5
包装说明：DO-5, 1 PIN针数：1
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.45
Is Samacsys：N其他特性：LEAKAGE CURRENT IS TYPICAL
应用：FAST SOFT RECOVERY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.8 V
JEDEC-95代码：DO-203ABJESD-30 代码：O-MUPM-D1
JESD-609代码：e2最大非重复峰值正向电流：670 A
元件数量：1相数：1
端子数量：1最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：17 A
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：POST/STUD MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1000 V
最大反向电流：400 µA最大反向恢复时间：0.6 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式：SOLDER LUG
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

SKR2F50/10UNF 数据手册

 浏览型号SKR2F50/10UNF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SKR2F50/10UNF的Datasheet PDF文件第3页 
SKR 2F50 THYRISTOR BRIDGE,SCR,BRIDGE  
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SKR  
1
05-04-2004 SCT  
© by SEMIKRON  
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与SKR2F50/10UNF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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