Datasheet > SKKT27B08EG6

SKKT27B08EG6

更新时间： 2024-11-29 19:23:03

品牌	Logo	应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		局域网栅栅极
页数	文件大小	规格书
4页	311K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 43.96A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Element, SEMIPACK-7

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SKKT27B08EG6 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数：	7	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.82
其他特性：	UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	最大直流栅极触发电流：	100 mA
JESD-30 代码：	R-XUFM-X7	元件数量：	2
端子数量：	7	最高工作温度：	130 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	43.96 A
断态重复峰值电压：	800 V	重复峰值反向电压：	800 V
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

SKKT27B08EG6 数据手册

SKKT 27B08 E G6

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

Chip

Values

Unit

T_c= 85 °C

T_c= 100 °C

T_j= 25 °C

T_j= 130 °C

T_j= 25 °C

T_j= 130 °C

I_T(AV)

sinus 180°

I_TSM

550

10 ms

480

i²t

1513

1152

900

kA²s

10 ms

i²t

SEMIPACK^®1

V_RSM

V_RRM

V_DRM

800

Thyristor Modules

SKKT 27B08 E G6

T_j= 130 °C

(di/dt)_cr

(dv/dt)_cr

T_j

140

A/µs

V/µs

°C

1000

-40 ... 130

Module

T_stg

-40 ... 125

3000

°C

Features

• Heat transfer through aluminium oxide

ceramic isolated metal baseplate

1 min

1 s

V_isol

a.c.; 50 Hz; r.m.s.

3600

• Hard soldered joints for high reliability

• UL recognized, file no. E63532

Characteristics

Symbol Conditions

Chip

min.

typ.

max.

Unit

Typical Applications

• DC motor control (e. g. for machine

tools)

• AC motor soft starters

• Temperature control (e. g. for ovens,

chemical processes)

• Professional light dimming (studios,

theaters)

T_j= 25 °C, I_T= 75 A

V_T

1.45

0.85

8.50

1.7

T_j= 130 °C

V_T(TO)

r_T

I_DD;I_RD

t_gd

10.00

mΩ

µs

T_j= 130 °C, V_DD= V_DRM; V_RD= V_RRM

T_j= 25 °C, I_G= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

V_D= 0.67 * V_DRM

t_gr

µs

T_j= 130 °C

t_q

150

300

µs

T_j= 25 °C

I_H

250

600

T_j= 25 °C, R_G= 33 Ω

T_j= 25 °C, d.c.

I_L

V_GT

I_GT

2.5

T_j= 25 °C, d.c.

100

T_j= 130 °C, d.c.

V_GD

I_GD

R_th(j-c)

0.25

T_j= 130 °C, d.c.

K/W

per chip

0.880

0.440

0.930

0.465

0.980

0.490

cont.

per module

per chip

sin. 180°

R_th(j-c)

per module

per chip

rec. 120°

per module

Module

R_th(c-s)

chip

0.22

0.11

K/W

module

M_s

M_t

to heatsink M5

to terminals M5

4.25

2.55

5.75

3.45

5 * 9,81 m/s²

SKKT

Rev. 0 – 19.01.2009

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与SKKT27B08EG6相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SKKT27B12E	SEMIKRON	获取价格	Thyristor / Diode Modules
SKKT27B14E	SEMIKRON	获取价格	Thyristor / Diode Modules
SKKT27B16E	SEMIKRON	获取价格	Thyristor / Diode Modules
SKKT27B16EG6	SEMIKRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 43.96A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 2 Element, SEMIP
SKKT280	SEMIKRON	获取价格	Thyristor / Diode Modules
SKKT280/20EH4	SEMIKRON	获取价格	Thyristor / Diode Modules
SKKT280/22EH4	SEMIKRON	获取价格	Thyristor / Diode Modules
SKKT280_09	SEMIKRON	获取价格	Thyristor Diode Modules
SKKT300/08E	SEMIKRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 510A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Element, CASE A 73
SKKT300/12E	SEMIKRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 510A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 Element, CASE A

与SKKT27B08EG6相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

52
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

41
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

69
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

65

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SKKT27B08EG6

SKKT27B08EG6 技术参数

SKKT27B08EG6 数据手册

与SKKT27B08EG6相关器件

与SKKT27B08EG6相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SKKT27B08EG6

SKKT27B08EG6 技术参数

SKKT27B08EG6 数据手册

与SKKT27B08EG6相关器件

与SKKT27B08EG6相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？