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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> SKKT330/18E
SKKT330/18E PDF预览

SKKT330/18E

更新时间： 2024-11-30 03:57:11
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 栅极触发装置可控硅整流器二极管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 958K
描述
Thyristor / Diode Modules

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SKKT330/18E 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数：7Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.71
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
最大直流栅极触发电流：200 mA最大直流栅极触发电压：3 V
快速连接描述：2G-K-AK螺丝端子的描述：A-K-AK
最大维持电流：500 mAJESD-30 代码：R-XUFM-X7
JESD-609代码：e2最大漏电流：50 mA
通态非重复峰值电流：9500 A元件数量：2
端子数量：7最大通态电流：305000 A
最高工作温度：130 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：510 A
断态重复峰值电压：1800 V重复峰值反向电压：1800 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

SKKT330/18E 数据手册

 浏览型号SKKT330/18E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SKKT330/18E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SKKT330/18E的Datasheet PDF文件第4页 
SKKT 330, SKKH 330  
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SKKT  
SKKH  
1
23-03-2005 NOS  
© by SEMIKRON  
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与SKKT330/18E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKKT330_07 SEMIKRON

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 		Thyristor / Diode Modules
SKKT330_09 SEMIKRON

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 		Thyristor Diode Modules
SKKT41 SEMIKRON

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 		SEMIPACK 1 Thyristor / Diode Modules
SKKT41/06D SEMIKRON

获取价格

 		Thyristor / Diode Modules
SKKT41/06E SEMIKRON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 75A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 2 Element, CASE A 5,
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 		Thyristor / Diode Modules
SKKT41/12D SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 62.8A I(T)RMS, 48000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 E
SKKT41/12E SEMIKRON

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 		Thyristor / Diode Modules
SKKT41/14E SEMIKRON

获取价格

 		Thyristor / Diode Modules
SKKT41/16D SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 48000mA I(T), 1600V V(RRM),

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