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SKKT323/12E PDF预览

SKKT323/12E

更新时间： 2024-11-30 02:55:51
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 可控硅二极管
页数 文件大小 规格书
4页 1439K
描述
Thyristor / Diode Modules

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SKKT323/12E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7针数：7
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.84其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
最大直流栅极触发电流：150 mA最大直流栅极触发电压：2 V
快速连接描述：2G-2GR螺丝端子的描述：A-K-AK
最大维持电流：500 mAJESD-30 代码：R-XUFM-X7
最大漏电流：100 mA通态非重复峰值电流：9500 A
元件数量：2端子数量：7
最大通态电流：320000 A最高工作温度：130 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：520 A断态重复峰值电压：1200 V
重复峰值反向电压：1200 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCR

SKKT323/12E 数据手册

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SKKT 323; SKKH 323 THYRISTOR BRIDGE,SCR,BRIDGE  
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SKKT  
SKKH  
1
26-07-2007 GIL  
© by SEMIKRON  
1234

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与SKKT323/12E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKKT323/16E SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 520A I(T)RMS, 320000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 2 E
SKKT323/18E SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 520A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 2 Element, CASE A4
SKKT330 SEMIKRON

获取价格

 		Thyristor / Diode Modules
SKKT330/08E SEMIKRON

获取价格

 		Thyristor / Diode Modules
SKKT330/12E SEMIKRON

获取价格

 		Thyristor / Diode Modules
SKKT330/14E SEMIKRON

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 		Thyristor / Diode Modules
SKKT330/16E SEMIKRON

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 		Thyristor / Diode Modules
SKKT330/18E SEMIKRON

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 		Thyristor / Diode Modules
SKKT330_07 SEMIKRON

获取价格

 		Thyristor / Diode Modules
SKKT330_09 SEMIKRON

获取价格

 		Thyristor Diode Modules

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