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SKIIP632GB120-3D PDF预览

SKIIP632GB120-3D

更新时间： 2024-10-25 22:43:11
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON /
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2页 72K
描述
2-pack - integrated intelligent Power System

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SKIIP632GB120-3D 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：,
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.84
其他特性：ALSO OPERATES AT 20 TO 30V NON STABILIZED POWER SUPPLY内置保护：TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL; UNDER VOLTAGE
接口集成电路类型：HALF BRIDGE BASED PERIPHERAL DRIVERJESD-30 代码：R-XXMA-X
JESD-609代码：e2功能数量：3
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
输出电流流向：SOURCE AND SINK标称输出峰值电流：0.005 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大供电电压：15.6 V
最小供电电压：14.4 V标称供电电压：15 V
表面贴装：NO温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UNSPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
断开时间：1.4 µs接通时间：1.5 µs
Base Number Matches：1

SKIIP632GB120-3D 数据手册

 浏览型号SKIIP632GB120-3D的Datasheet PDF文件第2页 
SKiiP 632GB120-3D  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
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Power section  
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max.  
Units  
SKiiP 632GB120-3D  
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This technical information specifies semiconductor devices but promises no  
characteristics. No warranty or guarantee, expressed or implied is made regarding  
delivery, performance or suitability.  
Case S 3  
1
06-04-2005 ARW  
© by SEMIKRON  
12

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与SKIIP632GB120-3D相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKIIP632GB120-3D_07 SEMIKRON

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