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SIRA12DP-T1-GE3

更新时间： 2024-11-21 21:14:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 386K
描述
TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power

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SIRA12DP-T1-GE3 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-C5
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：1.52雪崩能效等级（Eas）：11 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：25 A
最大漏极电流 (ID)：25 A最大漏源导通电阻：0.0043 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-C5
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：31 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SIRA12DP-T1-GE3 数据手册

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Work-In-Progress  
SiRA12DP  
Vishay Siliconix  
www.vishay.com  
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
• TrenchFET® Gen IV power MOSFET  
PowerPAK® SO-8 Single  
D
D
7
8
• 100 % Rg and UIS tested  
D
6
D
5
• Material categorization:  
for definitions of compliance please see  
www.vishay.com/doc?99912  
1
S
APPLICATIONS  
D
2
3
S
S
• High power density DC/DC  
• Synchronous rectification  
4
G
1
Top View  
Bottom View  
• VRMs and embedded DC/DC  
G
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
30  
RDS(on) max. () at VGS = 10 V  
RDS(on) max. () at VGS = 4.5 V  
Qg typ. (nC)  
0.0043  
0.0060  
13.6  
S
ID (A) a, g  
60  
N-Channel MOSFET  
Configuration  
Single  
ORDERING INFORMATION  
Package  
PowerPAK SO-8  
Lead (Pb)-free and halogen-free  
SiRA12DP-T1-GE3  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
30  
+20, -16  
60 g  
53 g  
25 b, c  
20 b, c  
90  
25 g  
3.8 b, c  
UNIT  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
VDS  
VGS  
V
TC = 25 °C  
C = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
T
Continuous drain current (TJ = 150 °C)  
ID  
A
Pulsed drain current (t = 300 μs)  
IDM  
IS  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
Continuous source-drain diode current  
Single pulse avalanche current  
Single pulse avalanche energy  
IAS  
EAS  
15  
11  
31  
20  
L = 0.1 mH  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Maximum power dissipation  
PD  
4.5 b, c  
2.9 b, c  
-55 to 150  
260  
Operating junction and storage temperature range  
Soldering recommendations (peak temperature) d, e  
TJ, Tstg  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
PARAMETER  
Maximum junction-to-ambient b, f  
Maximum junction-to-case (drain)  
SYMBOL  
RthJA  
RthJC  
TYPICAL  
MAXIMUM  
UNIT  
t 10 s  
Steady state  
25  
3.2  
28  
4
°C/W  
Notes  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. See solder profile (www.vishay.com/doc?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper  
(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not  
required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
f. Maximum under steady state conditions is 70 °C/W.  
g. Package limited.  
SPending-Rev. B, 22-Sep-16  
Document Number: 63786  
1
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...13

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