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SIHH21N65EF-T1-GE3

更新时间： 2024-11-24 15:51:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 201K
描述
Power Field-Effect Transistor, 19.8A I(D), 650V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 8 X 8 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK-4

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SIHH21N65EF-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PSSO-N4Reach Compliance Code：compliant
风险等级：2.26雪崩能效等级（Eas）：353 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：650 V最大漏极电流 (ID)：19.8 A
最大漏源导通电阻：0.18 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PSSO-N4元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：53 A
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SIHH21N65EF-T1-GE3 数据手册

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SiHH21N65EF  
Vishay Siliconix  
www.vishay.com  
E Series Power MOSFET with Fast Body Diode  
FEATURES  
• Completely lead (Pb)-free device  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V) at TJ max.  
DS(on) typ. () at 25 °C  
Qg max. (nC)  
700  
• Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg  
R
VGS = 10 V  
0.157  
• Low input capacitance (Ciss  
)
102  
15  
• Reduced switching and conduction losses  
• Ultra low gate charge (Qg)  
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
Q
28  
• Avalanche energy rated (UIS)  
Configuration  
Single  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
PowerPAK® 8 x 8  
Pin 4  
APPLICATIONS  
• Server and telecom power supplies  
• Switch mode power supplies (SMPS)  
• Power factor correction power supplies (PFC)  
• Lighting  
4
Pin 1  
1
2
Pin 2  
3
3
- High-intensity discharge (HID)  
- Fluorescent ballast lighting  
• Industrial  
Pin 3  
N-Channel MOSFET  
- Welding  
- Induction heating  
- Motor drives  
- Battery chargers  
- Renewable energy  
- Solar (PV inverters)  
ORDERING INFORMATION  
Package  
PowerPAK 8 x 8  
Lead (Pb)-free and Halogen-free  
SiHH21N65EF-T1-GE3  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
650  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
V
VGS  
30  
T
C = 25 °C  
19.8  
12.5  
53  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
VGS at 10 V  
ID  
TC = 100 °C  
A
Pulsed Drain Current a  
IDM  
Linear Derating Factor  
1.47  
353  
W/°C  
mJ  
W
Single Pulse Avalanche Energy b  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Drain-Source Voltage Slope  
Reverse Diode dV/dt c  
EAS  
PD  
156  
TJ, Tstg  
-55 to +150  
70  
°C  
TJ = 125 °C  
dV/dt  
V/ns  
10  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature.  
b. VDD = 140 V, starting TJ = 25 °C, L = 28.2 mH, Rg = 25 , IAS = 5 A.  
c. ISD ID, dI/dt = 100 A/μs, starting TJ = 25 °C.  
S15-2995-Rev. A, 21-Dec-15  
Document Number: 91739  
1
For technical questions, contact: hvm@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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