Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SIHF830ASTL-E3

SIHF830ASTL-E3

更新时间： 2024-11-23 06:11:39

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
8页	160K
描述
Power MOSFET

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SIHF830ASTL-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.07	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	230 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A	最大漏极电流 (ID)：	5 A
最大漏源导通电阻：	1.4 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	74 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHF830ASTL-E3 数据手册

IRF830AS, IRF830AL, SiHF830AS, SiHF830AL

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

Requirement

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

500

Available

_DS(on)(Max.) (Ω)

V_GS= 10 V

1.40

RoHS*

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

Q_g(Max.) (nC)

6.3

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

Configuration

Single

• Effective C_ossspecified

• Lead (Pb)-free Available

I²PAK

(TO-262)

D²PAK

(TO-263)

APPLICATIONS

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply

• High speed power switching

TYPICAL SMPS TOPOLOGIES

• Two Transistor Forward

N-Channel MOSFET

• Half Bridge and Full Bridge

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

IRF830ASPbF

D²PAK (TO-263)

IRF830ASTRLPbF^a

SiHF830ASTL-E3^a

IRF830ASTRL^a

I²PAK (TO-262)

IRF830ALPbF

SiHF830AL-E3

IRF830AL

Lead (Pb)-free

SiHF830AS-E3

IRF830AS

SnPb

SiHF830AS

SiHF830ASTL^a

SiHF830AL

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

500

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

5.0

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

3.2

Pulsed Drain Current^{a, e}

Linear Derating Factor

Single Pulse Avalanche Energy^{b, e}

Avalanche Current^a

I_DM

0.59

230

W/°C

E_AS

I_AR

5.0

Repetiitive Avalanche Energy^a

E_AR

7.4

_A= 25 °C

3.1

Maximum Power Dissipation

P_D

V/ns

°C

T_C= 25 °C

Peak Diode Recovery dV/dt^{c, e}

dV/dt

5.3

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

300^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 18 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 5.0 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 5.0 A, dI/dt ≤ 370 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. Uses SiHF830A data and test conditions.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91062

S-81352-Rev. A, 16-Jun-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SIHF830ASTRL-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 5 A, 500 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND R
SIHF830-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF830S	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 4.5 A, 500 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3,
SIHF830S-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 4.5 A, 500 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT,
SIHF830S-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 4.5 A, 500 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND
SIHF830STL	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 4.5 A, 500 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3,
SIHF830STL-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 4.5 A, 500 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT,
SIHF830STRL-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 4.5 A, 500 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND
SIHF840	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
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