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SIF85N060(TO-251T&251S&252&252T)

更新时间： 2024-04-09 19:00:48

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描述
导通电阻低开关速度快输入阻抗高符合RoHS规范

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SIF85N060(TO-251T&251S&252&252T) 数据手册

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深圳深爱半导体股份有限公司

产品规格书

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.

Product Specification

N-沟道功率 MOS 管/ N-CHANNEL POWER MOSFET

SIF85N060

参数

PARAMETER

符号

SYMBOL

测试条件

TEST CONDITION

最小值

MIN

典型值

TYP

最大值

MAX

单位

UNIT

输入电容

Input Capacitance

Ciss

Coss

Crss

4000

680

输出电容

Output Capacitance

V_GS= 0V, V_DS= 30V

F = 1.0MHZ

反向传输电容

Reverse Transfer Capacitance

栅极电荷

Total Gate Charge

68.4

19.7

6.1

I_D=50A, V_DS=48V

V_GS= 10V

栅源电荷

Gate-to-Source Charge

Qgs

Qgd

Td(on)

T_r

栅漏电荷

Gate-to-Drain Charge

导通延迟

Turn -On Delay Time

开启上升时间

Turn -On Rise Time

V_DD=30V ID=60A

V_GS= 10V, R_G=4.7Ω

关断延迟

Turn -Off Delay Time

Td(off)

T_f

关断下降时间

Turn -Off Fall Time

二极管正向压降

Diode Forward Voltage

Tj=25°C, IF=10A

V_SD

1.3

V_GS=0V

③

反向恢复时间

Reverse Recovery Time

trr

If=20A，di/dt=500A/μs

Tj=25°C,③

反向恢复电荷

Reverse Recovery Charge

Qrr

●热特性

●Thermal Characteristics

参数

PARAMETER

符号

SYMBOL

最大值

MAX

单位

UNIT

热阻结-壳

Thermal Resistance Junction-case

热阻结-壳

Thermal Resistance Junction-ambient

Rth_JC

Rth_JA

0.69

62.5

℃/W

注释(Notes):

①

②

③

以最高结温为限制，Tc=25℃时测试，封装限制电流为 80A。

I_D& P_Dbase on maximum allowable junction temperature, test at Tc=25℃。Package limited current is 80A。

初始结温=25^oC,VDD=30V，VG=10V， L=0.5mH。

Starting Tj=25^oC, VDD=30V，VG=10V，L=0.5mH。

脉冲测试：脉冲宽度≤ 300μs ，占空比≤ 2%

Pulse Test : Pulse width ≤ 300μs, Duty cycle ≤ 2%

Si semiconductors 2017.7

123 4 5 6 7 8

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