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SIF902EDZ-T1-GE3 PDF预览

SIF902EDZ-T1-GE3

更新时间： 2024-01-05 11:49:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 100K
描述
TRANSISTOR 7 A, 20 V, 0.022 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 5 X 2 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK-6, FET General Purpose Power

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SIF902EDZ-T1-GE3 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：7 A最大漏极电流 (ID)：7 A
最大漏源导通电阻：0.022 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F6元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.0035 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SIF902EDZ-T1-GE3 数据手册

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SiF902EDZ  
Vishay Siliconix  
Bi-Directional N-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
Halogen-free  
TrenchFET® Power MOSFET: 2.5 V Rated  
ESD Protected: 4000 V  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
10.3  
10.0  
9.4  
Qg (Typ.)  
0.022 at VGS = 4.5 V  
0.023 at VGS = 4.0 V  
0.026 at VGS = 3.1 V  
0.028 at VGS = 2.5 V  
RoHS  
COMPLIANT  
20  
9.1  
APPLICATIONS  
9.0  
•
Battery Protection Circuitry  
- Cell Li-lon LiB/LiP Battery Packs  
PowerPAK® 2 x 5  
D
1
D
2
2 mm  
S
1
S
1
1
2
G
1
3
1.8 kΩ  
1.8 kΩ  
G
G
2
1
6
S
2
S
5
Marking Code  
2
G
4
2
MAXYZ  
MA: Part # Code  
XYZ: Lot Traceability and Date Code  
S
1
S
2
Ordering Information: SiF902EDZ-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 s  
Steady State  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
20  
40  
V
VGS  
12  
TA = 25 °C  
TA = 85 °C  
10.3  
7.4  
7.0  
5.1  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
A
Pulsed Drain Current (VGS = 8 V)  
IDM  
IS  
Continuous Diode Current (Diode Conduction)a  
3.1  
3.5  
1.8  
1.5  
1.6  
TA = 25 °C  
TA = 85 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
0.86  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
30  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
36  
76  
Maximum Junction-to-Ambienta  
RthJA  
Steady State  
Steady State  
61  
°C/W  
RthJC  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
4.8  
6.0  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
Document Number: 72987  
S-80643-Rev. B, 24-Mar-08  
www.vishay.com  
1
123456

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