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SIF830

更新时间： 2024-01-24 17:21:10
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2页 141K
描述
N-CHANNEL POWER MOSFET

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SIF830 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.61
Base Number Matches：1

SIF830 数据手册

 浏览型号SIF830的Datasheet PDF文件第2页 
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.  
Product Specification  
N-Channel Power MOSFET  
SIF830  
FEATURES  
LOW THERMAL RESISTANCE  
ELECTRONIC BALLAST  
REPETITIVE AVALANCHE RATED  
ELECTRONIC TRANSFORMER  
FAST SWITCHING  
APPLICATION:  
SWITCH MODE POWER SUPPLY  
Absolute Maximum Ratings Tc=25°C  
TO-220  
UNIT  
PARAMETER  
Drain-source voltage  
Drain-gate voltage  
SYMBOL  
VALUE  
500  
VDS=500V  
RDS(ON)=1.5Ω  
ID=4.5A  
VDS  
V
VDGR  
500  
V
Gate-source voltage  
VGS  
20  
V
Continuous drain current  
TC=25  
ID  
4.5  
A
Continuous drain current  
TC=100  
ID  
3.0  
A
Total dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
PD  
Tj  
75  
150  
W
°C  
°C  
1-GATE 2-DRAIN 3-SOURCE  
TSTG  
-55-150  
Electronic Characteristics Tc=25°C  
CHARACTERISTICS  
Drain-source Breakdown Voltage  
Gate Threshold Voltage  
SYMBOL  
TEST CONDITION  
MIN  
500  
2.0  
MAX  
UNIT  
V
BVDSS  
V
GS=0V, ID=250µA  
VGS=VDS,ID=250µA  
VDS =Rated BVDSS  
GS =0V  
VDS =0.8RatedBVDSS  
VGS(TH)  
4.0  
25  
V
,
µA  
µA  
A
V
Drain-source Leakage Current  
IDSS  
,
250  
VGS =0V TJ=125°C  
VDS ID(ON) rDS(ON)MAX  
VGS =10V  
,
On State Drain Current  
ID(ON)  
4.5  
Gate-body Leakage  
Current (VDS = 0)  
Static Drain-source  
OnResistance  
IGSS  
VGS  
=
20V  
100  
1.5  
nA  
Ω
r DS(ON)  
VGS =10V, ID=2.5A  
Thermal Resistance  
Junction-case  
R
Jc  
1.67  
/W  
Si semiconductors 2005.12  
1
12

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