深圳深爱半导体股份有限公司
产品规格书
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
Product Specification
N-沟道功率 MOS 管/ N-CHANNEL POWER MOSFET
SIF85N060
●特点:热阻低 导通电阻低 栅极电荷低,开关速度快 输入阻抗高 符合RoHS规范
●FEATURES:■LOW THERMAL RESISTANCE ■LOW RDS(ON) TO MINIMIZE CONDUCTIVE LOSS ■LOW GATE
CHARGE FOR FAST SWITCHING ■HIGH INPUT RESISTANCE ■RoHS COMPLIANT
●应用:低压高频逆变电路 同步整流 开关应用
●APPLICATION: ■LOW VOLTAGE,HIGH FREQUENCY INVERTERS
■SWITCH APPLICATIONS
■SYNCHRONOUS RECTIFICATION
●最大额定值(TC=25C)
●Absolute Maximum Ratings(Tc=25C) TO-251T/251S/252/252T
参数
PARAMETER
符号
SYMBOL
额定值
VALUE
单位
UNIT
VDS=60V
漏-源电压
Drain-source Voltage
VDS
VGS
60
V
V
RDS(ON)=4.2mΩ
ID=85A
栅-源电压
gate-source Voltage
±20
漏极电流
Continuous Drain Current
TC=25℃ ①
ID
85*
A
耗散功率
Total Power Dissipation
Ptot
Tj
180
150
W
C
C
mJ
①
最高结温
Junction Temperature
存储温度
Storage Temperature
TSTG
EAS
-55-175
500
单脉冲雪崩能量
Single Pulse Avalanche Energy ②
●电特性(Tc=25C)
●Electronic Characteristics(Tc=25C)
参数
PARAMETER
符号
SYMBOL
测试条件
TEST CONDITION
最小值
MIN
典型值
TYP
最大值
MAX
单位
UNIT
漏-源击穿电压
Drain-source Breakdown Voltage
栅极开启电压
BVDSS
VGS(TH)
IDSS
VGS=0V, ID=250A
60
V
V
VGS=VDS, ID=250A③
1.0
2.5
1
Gate Threshold Voltage
漏-源漏电流
Drain-source Leakage Current
VDS =60V,VGS =0V
A
栅极漏电流
Gate-body Leakage
Current (VDS = 0)
漏-源导通电阻
Static Drain-source On
Resistance
IGSS
VGS =±20V
±100
nA
VGS =10V, ID=24A③
VGS =4.5V, ID=12A③
4.2
4.8
5.0
6.0
RDS(ON)
gFS
mΩ
S
跨导
Forward Transconductance
VDS =10V, ID=10A③
40
●订单信息/ORDERING INFORMATION:
包装形式/PACKING
订货编码/ORDERING CODE
普通塑封料
Normal Package Material
无卤塑封料
Halogen Free
SIF85N060 TO-251T-TU-HF 或
TO-251S-TU-HF 或
TO-252(T)-TU-HF
TO-252(T)&251T(S)条管装
TUBE PACKING
SIF85N060 TO-251T-TU
或 TO-251S-TU 或 TO-252(T)-TU
TO-252(T) 编带装/TAPE & REEL PACKING
SIF85N060 TO-252(T)-TR
SIF85N060 TO-252(T)-TR-HF
1
Si semiconductors 2017.7