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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SIE726DF-T1-E3
SIE726DF-T1-E3 PDF预览

SIE726DF-T1-E3

更新时间： 2024-11-25 09:25:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体肖特基二极管晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
10页 209K
描述
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

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SIE726DF-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-N4针数：10
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.83Is Samacsys：N
其他特性：ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：125 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：60 A
最大漏极电流 (ID)：60 A最大漏源导通电阻：0.0033 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XDSO-N4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：PURE MATTE TIN端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SIE726DF-T1-E3 数据手册

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New Product  
SiE726DF  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Definition  
ID (A)a  
SkyFET™ Monolithic TrenchFET®  
Power MOSFET and Schottky Diode  
Ultra Low Thermal Resistance Using Top-  
Exposed PolarPAK® Package for Double-  
Sided Cooling  
Silicon Package  
RDS(on) (Ω)e  
VDS (V)  
Qg (Typ.)  
Limit  
Limit  
0.0024 at V = 10 V  
GS  
175  
60  
30  
50 nC  
0.0033 at V = 4.5 V  
GS  
149  
60  
•
Leadframe-Based New Encapsulated Package  
- Die Not Exposed  
Package Drawing  
www.vishay.com/doc?72945  
- Same Layout Regardless of Die Size  
Low Qgd/Qgs Ratio Helps Prevent Shoot-Through  
100 % Rg and UIS Tested  
•
•
•
PolarPAK  
10  
D
9
G
8
S
7
S
6
D
6
7
8
9
10  
D
Compliant to RoHS directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
D
•
•
•
Synchronous Rectification  
DC/DC  
D
D
S
G
Low-Side Switch  
Schottky Diode  
G
D
1
G
2
S
3
S
4
D
5
5
4
3
2
1
N-Channel MOSFET  
Top View  
Top surface is connected to pins 1, 5, 6, and 10  
Ordering Information: SiE726DF-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
SiE726DF-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
Bottom View  
S
For Related Documents  
www.vishay.com/ppg?68626  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
30  
20  
Unit  
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
175 (Silicon Limit)  
60a (Package Limit)  
TC = 25 °C  
60a  
35b, c  
28b, c  
80  
60a  
4.3b, c  
50  
125  
125  
80  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
IS  
T
C = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
TA = 25 °C  
L = 0.1 mH  
TC = 25 °C  
IAS  
EAS  
Single Pulse Avalanche Current  
Avalanche Energy  
mJ  
W
T
C = 70 °C  
PD  
Maximum Power Dissipation  
5.2b, c  
3.3b, c  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e  
°C  
260  
Notes:  
a. Package limited.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PolarPAK is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper (not  
plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not  
required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
Document Number: 68626  
S09-1338-Rev. B, 13-Jul-09  
www.vishay.com  
1
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SIE726DF-T1-E3 替代型号

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SIE726DF-T1-GE3 VISHAY

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 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI-E8000 DIOTEC

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 		High Voltage Silicon Rectifier Diodes
SI-E8000/3600-1.8 SEMIKRON

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 		High voltage rectifiers
SI-E8000/3600-4 SEMIKRON

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