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SI9978DW-E3

更新时间： 2024-09-15 15:51:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 284K
描述
MOSFET Driver, PDSO24

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SI9978DW-E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.82
JESD-30 代码：R-PDSO-G24JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1端子数量：24
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP24,.4封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE电源：20/40 V
认证状态：Not Qualified子类别：MOSFET Drivers
表面贴装：YES温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

SI9978DW-E3 数据手册

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End of Life. Last Available Purchase Date is 31-Dec-2014  
Si9978  
Vishay Siliconix  
Configurable H-Bridge Driver  
FEATURES  
H-Bridge or Dual Half-Bridge Operation  
20- to 40-V Supply  
Static (dc) Operation  
Cross-Conduction Protected  
Current Limit  
Undervoltage Lockout  
ESD Protected  
Fault Output  
DESCRIPTION  
The Si9978 is an integrated driver for an n-channel MOSFET  
H-bridge. The mode control allows operation as either a full  
H-bridge driver or as two independent half-bridges. The  
DIR/PWM input configuration allows easy implementation of  
either sign/magnitude or anti-phase PWM drive schemes for  
full H-bridges. Schmitt triggers on the inputs provide logic  
signal compatibility and hysteresis for increased noise  
immunity. An internal low-voltage regulator allows the device  
to be powered directly from a system supply of 20 to 40 volts.  
All n-channel gates are driven directly from low-impedance  
outputs. The addition of one external capacitor per half-bridge  
allows internal circuitry to level shift both the power supply and  
logic signal for the high-side n-channel gate drives. Internal  
charge pumps replace leakage current lost in the high-side  
driver circuits to provide “static” (dc) operation in any output  
condition. Protection features include an undervoltage  
lockout, cross-conduction prevention logic, and overcurrent  
monitors.  
The Si9978 is available in both standard and lead (Pb)-free,  
24-pin wide-body SOIC (surface mount) packages, specified  
to operate over the industrial (−40 to +85 C) temperature  
range.  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
Bootstrap Reg.  
23  
24  
V+  
CAP  
A
Charge Pump  
Low-Voltage  
Regulator  
CAP  
CAP  
B
21  
22  
A
GT  
A
1
High-Side  
U.V. Lockout  
V
DD  
S
A
V
DD  
Low-Side  
U.V. Lockout  
Bootstrap Reg.  
Charge Pump  
19  
17  
18  
CAP  
B
V
V
V
V
V
GT  
B
DD  
3
DIR/IN  
QS/IN  
A
DD  
5
4
6
7
2
S
B
B
V
DD  
V
DD  
DD  
DD  
Input  
Logic  
PWM/EN  
B
20  
MODE  
BRK  
GB  
GB  
A
DD  
DD  
V
16  
15  
B
EN/EN  
A
8
9
CL/FAULT  
GND  
B
FAULT/FAULT  
A
−
+
11  
12  
One Shot  
R /C  
A
A
13  
14  
IL +  
A
−
+
R /C  
B
One Shot  
B
IL +  
B
Document Number: 70011  
S-40804—Rev. E, 26-Apr-04  
www.vishay.com  
1
12345678

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