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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | SOP, SOP16,.25 |
| 针数： | 16 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.4 | Is Samacsys： | N |
| 高边驱动器： | YES | 接口集成电路类型： | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G16 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 9.9 mm | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 16 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | SOP16,.25 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 3/13 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.75 mm | 子类别： | MOSFET Drivers |
| 最大供电电压： | 13.2 V | 最小供电电压： | 2.9 V |
| 表面贴装： | YES | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 断开时间： | 5 µs |
| 接通时间： | 5 µs | 宽度： | 3.9 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI9801DY | VISHAY |
获取价格 |
N-/P-Channel, Reduced Qg, Fast Switching Half-Bridge |
|
| SI9801DY-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
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| SI9802DY | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET |
|
| SI9802DY-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| SI9802DY-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| SI9802DY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| SI9803BDY-E3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 4500 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, LEAD FREE, SOP-8, FET Gener |
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| SI9803DY | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel Reduced Qg Fast Switching MOSFET |
|
| SI9803DY-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
|
| SI9803DY-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 25V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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