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SI9802DY-E3

更新时间： 2024-10-02 15:51:15

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
5页	89K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SI9802DY-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.83	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.5 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

SI9802DY-E3 数据手册

Si9802DY

Vishay Siliconix

Dual N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.055 @ V = 4.5 V

"4.5

"3.8

0.075 @ V = 3.0 V

SO-8

Top View

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"12

= 25_C

= 70_C

"4.5

"3.6

"25

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current (10 ms Pulse Width)

Continuous Source Current (Diode Conduction)

"1.7

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

1.3

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

62.5

_C/W

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.

Document Number: 70625

S-51303—Rev. A, 19-Dec-96

www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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