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SI4490DY_13

更新时间： 2022-05-06 23:19:12

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威世 - VISHAY		/
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N-Channel 200-V (D-S) MOSFET

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SI4490DY_13 数据手册

Si4490DY

Vishay Siliconix

TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted

2500

0.20

0.15

0.10

0.05

0.00

2000

1500

1000

500

iss

= 6 V

= 10 V

rss

oss

120

160

200

- Drain-to-Source Voltage (V)

- Drain Current (A)

On-Resistance vs. Drain Current

Capacitance

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

= 10 V

= 4.0 A

= 100 V

= 4.0 A

- 50 - 25

T - Junction Temperature (°C)

100 125 150

Q - Total Gate Charge (nC)

Gate Charge

On-Resistance vs. Junction Temperature

0.25

0.20

0.15

0.10

0.05

0.00

= 4.0 A

T = 150 °C

T = 25 °C

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

- Source-to-Drain Voltage (V)

- Gate-to-Source Voltage (V)

Source-Drain Diode Forward Voltage

On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage

Document Number: 71341

S09-0705-Rev. C, 27-Apr-09

www.vishay.com

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