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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI1058X-T1-GE3
SI1058X-T1-GE3 PDF预览

SI1058X-T1-GE3

更新时间： 2024-11-25 06:11:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 97K
描述
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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SI1058X-T1-GE3 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-89
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SC-89, 6 PIN针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.83Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.3 A最大漏极电流 (ID)：1.3 A
最大漏源导通电阻：0.091 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.236 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI1058X-T1-GE3 数据手册

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Si1058X  
Vishay Siliconix  
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
Halogen-free Option Available  
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg and UIS Tested  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
Qg (Typ.)  
1.3a  
1.1  
0.091 at VGS = 4.5 V  
0.124 at VGS = 2.5 V  
RoHS  
20  
3.5  
COMPLIANT  
APPLICATIONS  
•
Load Switch for Portable Devices  
SC-89 (6-LEADS)  
D
D
G
1
6
D
D
S
Marking Code  
T
WL  
5
4
2
3
Lot Traceability  
and Date Code  
Part Number Code  
Top View  
Ordering Information: Si1058X-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si1058X-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
20  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
12  
1.3b, c  
1.03b, c  
6
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
A
IDM  
IAS  
EAS  
IS  
Pulsed Drain Current  
Avalanche Current  
7
L = 0.1 mH  
Repetitive Avalanche Energy  
Continuous Source-Drain Diode Current  
2.45  
0.2b, c  
0.236b, c  
0.151b, c  
mJ  
A
T
A = 25 °C  
TA = 25 °C  
A = 70 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
T
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
440  
Maximum  
Unit  
t ≤ 5 s  
Steady State  
530  
650  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
RthJA  
°C/W  
540  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 5 s.  
d. Maximum under Steady State conditions is 650 °C/W.  
Document Number: 73894  
S-81528-Rev. C, 30-Jun-08  
www.vishay.com  
1
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SI1058X-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI1058X-T1-E3 VISHAY

完全替代

 N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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