SHF1106

更新时间： 2024-11-09 03:32:15

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1 AMP 400 - 900 V Hyper Fast Rectifier

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SHF1106 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	E-XALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.69	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.3 V
JESD-30 代码：	E-XALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ELLIPTICAL	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	600 V
最大反向恢复时间：	0.04 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

SHF1106 数据手册

SHF1104 & SHF1104SMS

thru

Solid State Devices, Inc.

14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

SHF1109 & SHF1109SMS

DESIGNER’S DATA SHEET

1 AMP

Features:

400 - 900 V

• Hyper Fast Recovery: 40 nsec maximum

Hyper Fast Rectifier

• PIV to 900 Volts, Consult Factory

• Hermetically Sealed

Axial Lead Diode

SMS

• Void Free Construction

• For High Efficiency Applications

• Replaces UES 1104, UES1106, IN6624

• TX, TXV, S Level screening Available

Maximum Ratings

Symbol

Value

Units

SHF1104

SHF1106

SHF1108

SHF1109

400

600

800

900

V_RRM

V_RSM

V_R

Peak Repetitive Reverse and DC Blocking Voltage

Volts

Average Rectified Forward Current

1.0

Amps

(Resistive Load, 60 hz Sine Wave, T_A= 25 °C)

Peak Surge Current

I_FSM

_OP& T_STG

R_θJE

Amps

ºC

(8.3 ms Pulse, Half Sine Wave, T_A= 25 °C)

Operating & Storage Temperature

-65 to +175

Maximum Thermal Resistance

Junction to Leads, L = 3/8

Junction to Tabs

ºC/W

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

DATA SHEET #: RH0111E

DOC

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SHF1106S	SSDI	获取价格	1AMP 400-900V HYER FAST RECTIFIER
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