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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> SHD114446BSXQ
SHD114446BSXQ PDF预览

SHD114446BSXQ

更新时间： 2024-11-20 13:13:27
品牌 Logo 应用领域
SENSITRON /
页数 文件大小 规格书
3页 108K
描述
Rectifier Diode,

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SHD114446BSXQ 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.66二极管类型：RECTIFIER DIODE
Base Number Matches：1

SHD114446BSXQ 数据手册

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SHD114446  
SHD114446A  
SHD114446B  
SENSITRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL DATA  
DATA SHEET 4516, REV. -  
POWER SCHOTTKY RECTIFIER  
Low Reverse Leakage  
Applications:  
• Switching Power Supply • Converters • Free-Wheeling Diodes • Polarity Protection Diode  
Features:  
•
Ultra Low Reverse Leakage Current  
•
•
•
•
•
•
Soft Reverse Recovery at Low and High Temperature  
Low Forward Voltage Drop  
Low Power Loss, High Efficiency  
High Surge Capacity  
Guard Ring for Enhanced Durability and Long Term Reliability  
Guaranteed Reverse Avalanche Characteristics  
Maximum Ratings:  
Characteristics  
Peak Inverse Voltage  
Max. Average Forward  
Current  
Symbol  
VRWM  
IF(AV)  
Condition  
-
Max.  
200  
30  
Units  
V
A
50% duty cycle, rectangular  
wave form Common Cathode  
(N)/Common Anode(P)  
50% duty cycle, rectangular  
wave form Doubler (D)  
8.3 ms, half Sine wave  
(per leg)  
TJ = 25 °C, IAS = 1.3 A,  
L = 40mH (per leg)  
IAS decay linearly to 0 in 1 µs  
ƒ limited by TJ max VA=1.5VR  
Max. Average Forward  
Current  
Max. Peak One Cycle Non-  
Repetitive Surge Current  
Non-Repetitive Avalanche  
Energy  
IF(AV)  
IFSM  
EAS  
IAR  
30  
570  
27  
A
A
mJ  
A
Repetitive Avalanche  
Current  
1.3  
Thermal Resistance  
Max. Junction Temperature  
Max. Storage Temperature  
RthJC  
TJ  
Tstg  
Per Package  
0.50  
-65 to +200  
-65 to +200  
°C/W  
°C  
°C  
-
-
Electrical Characteristics:  
Characteristics  
Symbol  
Condition  
Max.  
Units  
Max. Forward Voltage Drop  
VF1  
0.92  
V
@ 30A, Pulse, TJ = 25 °C  
(per leg) measured at the leads  
VF2  
IR1  
IR2  
CT  
0.76  
0.7  
V
@ 30A, Pulse, TJ = 125 °C  
(per leg) measured at the leads  
@VR = 200V, Pulse,  
TJ = 25 °C (per leg)  
@VR = 200V, Pulse,  
Max. Reverse Current  
mA  
mA  
pF  
16  
TJ = 125 °C (per leg)  
Max. Junction Capacitance  
600  
@VR = 5 V, TC = 25 °C  
fSIG = 1 MHz,  
VSIG = 50mV (p-p) (per leg)  
Due to the nature of the 200V Schottky devices, some degradation in trr performance at high temperatures should  
be expected, unlike conventional lower voltage Schottkys.  
• 221 West Industry Court ꢀ Deer Park, NY 11729-4681 ꢀ (631) 586-7600 FAX (631) 242-9798 •  
• World Wide Web Site - http://www.sensitron.com • E-Mail Address - sales@sensitron.com •  
123

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与SHD114446BSXQ相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SHD114446SV SENSITRON

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 		Rectifier Diode,
SHD114446SX SENSITRON

获取价格

 		Rectifier Diode,
SHD114446SXQ SENSITRON

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 		暂无描述
SHD11446 SENSITRON

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 30A, Silicon, SHD-3, 2 PIN
SHD114468 SENSITRON

获取价格

 		POWER SCHOTTKY RECTIFIER LOW REVERSE LEAKAGE
SHD114468A SENSITRON

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 		POWER SCHOTTKY RECTIFIER LOW REVERSE LEAKAGE
SHD114468B SENSITRON

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 		POWER SCHOTTKY RECTIFIER LOW REVERSE LEAKAGE
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SHD1144B SENSITRON

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