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| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.75 |
| 标称电路换相断开时间： | 15 µs | 关态电压最小值的临界上升速率： | 100 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 100 mA | 最大直流栅极触发电压： | 3 V |
| 最大维持电流： | 150 mA | 最大漏电流： | 10 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 600 A | 最大通态电压： | 2 V |
| 最大通态电流： | 30000 A | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -45 °C | 断态重复峰值电压： | 200 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | NO |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SH30F13A | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 47 A, 300 V, SCR |
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| SH30F9020 | SINOWEALTH |
获取价格 |
SH30F9020/30F9820是基于ARM Cortex-M0+内核的高性能32位微控 |
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| SH30F9021 | SINOWEALTH |
获取价格 |
SH30F9021/30F9821是基于ARM Cortex-M0+内核的高性能32位微控 |
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| SH30F9071 | SINOWEALTH |
获取价格 |
SH30F9071/30F9871是基于ARM Cortex-M0+内核的高性能32位微控 |
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| SH30F9621 | SINOWEALTH |
获取价格 |
SH30F9621是基于ARM Cortex-M0+内核的高性能32位微控制器，支持48M |
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| SH30F9820 | SINOWEALTH |
获取价格 |
SH30F9020/30F9820是基于ARM Cortex-M0+内核的高性能32位微控 |
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| SH30F9821 | SINOWEALTH |
获取价格 |
SH30F9021/30F9821是基于ARM Cortex-M0+内核的高性能32位微控 |
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| SH30F9871 | SINOWEALTH |
获取价格 |
SH30F9071/30F9871是基于ARM Cortex-M0+内核的高性能32位微控 |
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| SH30G13A | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 47 A, 400 V, SCR |
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| SH30H11 | TOSHIBA |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,500V V(DRM),30A I(T),TO-208VARM8 |
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