Datasheet > SGTP75V120FDB2PW4

SGTP75V120FDB2PW4

更新时间： 2024-03-03 10:11:18

品牌	Logo	应用领域
士兰微 - SILAN		/
页数	文件大小	规格书
12页	537K
描述
TO-247P-4L

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SGTP75V120FDB2PW4 数据手册

浏览型号SGTP75V120FDB2PW4的Datasheet PDF文件第1页

浏览型号SGTP75V120FDB2PW4的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号SGTP75V120FDB2PW4的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号SGTP75V120FDB2PW4的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号SGTP75V120FDB2PW4的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号SGTP75V120FDB2PW4的Datasheet PDF文件第7页

士兰微电子

SGTP75V120FDB2PW4 说明书

IGBT 电性参数（除非特殊说明，T_C=25C）

参数

集射击穿电压

符号

BV_CE

I_CES

测试条件

V_GE=0V，I_C=250µA

V_CE=1200V，V_GE=0V

V_GE=20V，V_CE=0V

I_C=250µA，V_CE=V_GE

I_C=75A，V_GE=15V，T_C=25C

I_C=75A，V_GE=15V，T_C=150C

V_CE=30V

最小值

1200

典型值

最大值

单位

集射漏电流

栅射漏电流

栅极开启电压

400

±600

6.4

2.5

µA

I_GES

V_GE(th)

4.3

5.3

1.9

2.5

7300

175

饱和压降

V_CE(sat)

输入电容

C_ies

C_oes

C_res

T_d(on)

T_r

输出电容

V_GE=0V

f=1MHz

反向传输电容

开启延迟时间

开启上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

导通损耗

V_CE=600V

I_C=75A

T_d(off)

T_f

190

R_g=10Ω

V_GE=15V

感性负载

T_C=25C

E_on

E_off

E_st

3.70

2.17

5.87

关断损耗

开关损耗

开启延迟时间

开启上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

导通损耗

T_d(on)

T_r

V_CE=600V

I_C=37.5A

R_g=10Ω

T_d(off)

T_f

204

V_GE=15V

感性负载

T_C=25C

E_on

E_off

E_st

1.23

1.07

2.30

234

关断损耗

开关损耗

栅电荷

Q_g

发射极栅电荷

集电极栅电荷

Q_ge

Q_gc

V_CE=600V，I_C=75A，V_GE=15V

FRD 电性参数（除非特殊说明，T_C=25C）

参数

符号

测试条件

I_F=75A，T_C=25C

最小值

典型值

3.0

最大值

单位

3.8

二极管正向压降

V_FM

I_F=75A，T_C=150C

2.6

二极管反向恢复时间

二极管反向恢复电荷

二极管反向恢复电流

T_rr

Q_rr

I_ES=75A，dI_ES/dt=200A/μs，

T_C=25C

260

7.6

Irrm

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.0

共 12 页第 3 页

http: //www.silan.com.cn

1 234 5 6 7...12

中文翻译

下载PDF

与SGTP75V120FDB2PW4相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
SGTP75V65FDB1P4B	SILAN	TO-247B-4L	获取价格
SGTP75V65FDB1P7	SILAN	TO-247-3L	获取价格
SGTP75V65SDB1P7	SILAN	TO-247-3L	获取价格
SGTP75V65SDS1P7	SILAN	TO-247-3L	获取价格
SGTPL-2516	VISHAY	Space Grade Hyprid Planar Transformers	获取价格
SGTQ160V65SDB1APW	SILAN	TO-247P-3L	获取价格