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SGTP75V120FDB2PW4

更新时间: 2024-03-03 10:11:18
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士兰微 - SILAN /
页数 文件大小 规格书
12页 537K
描述
TO-247P-4L

SGTP75V120FDB2PW4 数据手册

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士兰微电子  
SGTP75V120FDB2PW4 说明书  
典型特性曲线(续)  
7. 饱和压降Vs. 温度  
8. 电容特性  
5
4
3
2
1
0
100000  
Cies  
IC=38A  
IC=75A  
IC=150A  
Coes  
Cres  
10000  
1000  
100  
共射极  
VGE=0V  
f=1MHz  
10  
共射极  
VGE=15V  
TC=25°C  
1
1
10  
100  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
250  
60  
壳温 - TC(°C)  
集电极-发射极电压 – VCE(V)  
9. 栅极电荷特性  
10. 正向特性  
16  
12  
8
1000  
100  
10  
VCE=960V  
VCE=600V  
VCE=240V  
25  
125℃  
4
:IC=75A  
0
1
0
50  
100  
150  
200  
0.0  
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
3.5  
栅极电荷量 – QG(nC)  
正向电压 – VFM(V)  
11. 导通特性 vs. 栅极电阻  
12. 导通特性 vs. 栅极电阻  
1000  
100  
10  
1000  
Td(on)  
Tr  
Td(on)  
Tr  
100  
共射极  
VCC=600V, VGE=15V,  
IC=75ATC=25°C  
共射极  
VCC=600V, VGE=15V  
IC=75A,TC=150°C  
10  
0
10  
20  
30  
40  
50  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
栅极电阻 - RG(Ω)  
栅极电阻 - RG(Ω)  
杭州士兰微电子股份有限公司  
版本号:1.0  
12 页 第 6 页  
http: //www.silan.com.cn  

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