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SGTP75V120FDB2PW4

更新时间： 2024-03-03 10:11:18

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士兰微 - SILAN		/
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TO-247P-4L

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SGTP75V120FDB2PW4 数据手册

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士兰微电子

SGTP75V120FDB2PW4 说明书

极限参数（除非特殊说明，T_C=25C）

参数

符号

V_CE

V_GE

参数范围

1200

±20

单位

集电极-射极电压

栅极-射极电压

瞬态栅极-射极电压（t_p≤10µs ，D<0.010）

±30

150

T_C=25C

集电极电流

I_C

I_CM

I_F

T_C=100C

集电极脉冲电流

300

T_C=25°C

二极管电流

150

T_C=100°C

二极管脉冲电流

耗散功率（T_C=25C）

工作结温范围

I_FM

P_D

T_J

300

833

C

-40～+175

-55～+150

贮存温度范围

T_stg

热特性

参数

芯片对管壳热阻（IGBT）

芯片对管壳热阻（FRD）

芯片对环境热阻（IGBT）

焊接温度（直插式）

符号

R_θJC

R_θJA

T_sold

测试条件

最小值

典型值

最大值

0.18

0.40

单位

C/W

C

15⁺²_-0sec, 1time

260

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.0

共 12 页第 2 页

http: //www.silan.com.cn

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