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SGL15N60RUFD

更新时间: 2024-02-02 23:32:08
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 局域网电动机控制开关晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 223K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 24A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-264, TO-264, 3 PIN

SGL15N60RUFD 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-264
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
其他特性:HIGH SPEED SWITCHING外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):24 A集电极-发射极最大电压:600 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODEJEDEC-95代码:TO-264
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:MOTOR CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):130 ns标称接通时间 (ton):90 ns
Base Number Matches:1

SGL15N60RUFD 数据手册

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