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Datasheet > 晶体管 > IGBT> SGL160N60UFD
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SGL160N60UFD

更新时间： 2024-01-17 08:22:46
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 661K
描述
Ultrafast IGBT

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SGL160N60UFD 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-264
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.8
其他特性：LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING最大集电极电流 (IC)：160 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
最大降落时间（tf）：150 ns门极发射器阈值电压最大值：6.5 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-264AA
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：250 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：262 ns标称接通时间 (ton)：150 ns
Base Number Matches：1

SGL160N60UFD 数据手册

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IGBT  
SGL160N60UFD  
Ultrafast IGBT  
General Description  
Features  
Fairchild's UFD series of Insulated Gate Bipolar Transistors  
(IGBTs) provides low conduction and switching losses.  
The UFD series is designed for applications such as motor  
control and general inverters where high speed switching is  
a required feature.  
•
•
•
•
High speed switching  
Low saturation voltage : V (sat) = 2.1 V @ I = 80A  
CE  
C
High input impedance  
CO-PAK, IGBT with FRD: t = 75nS (typ.)  
rr  
Applications  
AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, servo controls, and power supplies.  
C
G
TO-264  
E
G
E
C
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Description  
SGL160N60UFD  
Units  
V
V
Collector-Emitter Voltage  
600  
± 20  
V
V
CES  
GES  
Gate-Emitter Voltage  
Collector Current  
@ T  
=
25°C  
160  
A
C
I
C
Collector Current  
@ T = 100°C  
80  
A
C
I
I
I
Pulsed Collector Current  
300  
A
CM (1)  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
M a x i m u m P o w e r D i s s i p a t i o n  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Maximum Lead Temp. for Soldering  
Purposes, 1/8” from Case for 5 Seconds  
@ T =100°C  
25  
A
F
C
280  
A
FM  
P
@ T  
=
25°C  
250  
W
W
°C  
°C  
D
C
@ T = 100°C  
100  
C
T
-55 to +150  
-55 to +150  
J
T
stg  
T
300  
°C  
L
Notes :  
(1) Repetitive rating : Pulse width limited by max. junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Typ.  
--  
Max.  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
(IGBT)  
0.5  
0.83  
25  
θJC  
θJC  
θJA  
(DIODE)  
--  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
--  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
SGL160N60UFD Rev. B1  
12345678

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与SGL160N60UFD相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SGL160N60UFDTU FAIRCHILD

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