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SGL1D

更新时间： 2024-02-27 11:53:24
品牌 Logo 应用领域
固锝 - GOOD-ARK 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 357K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, DO-213AA,

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SGL1D 技术参数

生命周期：Active包装说明：O-PELF-R2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.65
其他特性：FREE WHEELING DIODE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-213AA
JESD-30 代码：O-PELF-R2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM最大重复峰值反向电压：40 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：WRAP AROUND端子位置：END
Base Number Matches：1

SGL1D 数据手册

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SGL1A-SGL1M  
Schottky Barrier Rectifier  
Reverse Voltage 20-100V Forward Current 1A  
Features  
Ideal for automated placement  
Low forward voltage drop  
Low leakage current  
Meets environmental standard MIL-S-19500D  
Moisture sensitivity: level 1, per J-STD-020  
Solder dip 275 °C, 10s  
•
•
•
•
•
•
Package: DO-213AA  
Applications  
For use in general purpose rectification of lighting, power supplies,  
inverters, converters and freewheeling diodes for consumer, automotive  
and telecommunication.  
Mechanical Data  
•
•
•
Case: DO-213AA, molded epoxy body, epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22B-106  
Polarity: One silver ring denotes cathode and the type numbers are noted on the  
label on the reel  
Maximum Ratings (TA = 25°C unless otherwise noted)  
SGL1A  
SGL1B  
SGL1D  
SGL1G  
SGL1J  
SGL1K  
SGL1M  
Unit  
Parameter  
Symbol  
VRRM  
VRMS  
VDC  
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
20  
14  
20  
30  
21  
30  
40  
28  
40  
50  
35  
50  
1
80  
56  
80  
100  
70  
V
V
V
A
60  
42  
60  
Maximum DC Blocking Voltage  
100  
Maximum Average Forward Rectified Current  
at T= 75 °C  
IF(AV)  
Peak Forward Surge Current (8.3 ms single  
half sine-wave superimposed on rated load)  
IFSM  
27  
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
- 55 to + 150  
°C  
Electrical Characteristics (TA = 25°C unless otherwise noted)  
Test  
Conditions  
SGL1A  
SGL1B  
SGL1D  
SGL1G  
SGL1J  
SGL1K  
SGL1M  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Maximum Instantaneous  
Forward Voltage  
1 A  
VF  
0.5  
0.8  
V
TA=25 °C  
0.5  
20  
Maximum DC Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
IR  
mA  
pF  
TA=125 °C  
Typical Junction Capacitance  
4.0 V, 1 MHz  
CJ  
110  
Thermal Characteristics (TA = 25°C unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
RθJA (1)  
RθJT (2)  
Unit  
Value  
90  
Maximum Thermal  
Resistance  
°C/W  
20  
Notes: (1) Thermal resistance from junction to ambient,0.24×0.24" (6.0×6.0mm) copper pads to each terminal  
(2) Thermal resistance from junction to terminal, 0.24×0.24" (6.0×6.0mm) copper pads to each terminal  
1/3  
123

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与SGL1D相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SGL1D-HM32 GOOD-ARK

获取价格

 		Rectifier Diode
SGL1G GOOD-ARK

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-213AA,
SGL1G-HM32 GOOD-ARK

获取价格

 		Rectifier Diode
SGL1K GOOD-ARK

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 80V V(RRM), Silicon, DO-213AA,
SGL1K-HM32 GOOD-ARK

获取价格

 		Rectifier Diode
SGL25N120RUF FAIRCHILD

获取价格

 		Short Circuit Rated IGBT
SGL25N120RUFD FAIRCHILD

获取价格

 		Short Circuit Rated IGBT
SGL25N120RUFDTU FAIRCHILD

获取价格

 		暂无描述
SGL25N120RUFTU FAIRCHILD

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA, TO-264,
SGL25N120RUFTU_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA, LEAD FRE

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