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SGH5N120RUFDTU PDF预览

SGH5N120RUFDTU

更新时间： 2024-11-21 13:01:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关电动机控制瞄准线双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
7页 466K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-3P, 3 PIN

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SGH5N120RUFDTU 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-3P包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：2Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92Is Samacsys：N
其他特性：LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING最大集电极电流 (IC)：8 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）：400 ns门极发射器阈值电压最大值：7.5 V
门极-发射极最大电压：25 VJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：30 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：270 ns
标称接通时间 (ton)：90 nsBase Number Matches：1

SGH5N120RUFDTU 数据手册

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IGBT  
SGH5N120RUF  
Short Circuit Rated IGBT  
General Description  
Features  
Fairchild's RUF series of Insulated Gate Bipolar Transistors  
(IGBTs) provides low conduction and switching losses as  
well as short circuit ruggedness. The RUF series is  
designed for applications such as motor control,  
uninterrupted power supplies (UPS) and general inverters  
where short circuit ruggedness is a required feature.  
•
•
•
•
Short circuit rated 10µs @ T = 100°C, V = 15V  
C
GE  
High speed switching  
Low saturation voltage : V  
High input impedance  
= 2.3 V @ I = 5A  
CE(sat)  
C
Applications  
AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, and servo controls.  
C
E
G
TO-3P  
G
C
E
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Description  
SGH5N120RUF  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
1200  
CES  
GES  
Gate-Emitter Voltage  
± 25  
V
Collector Current  
@ T  
=
25°C  
8
A
C
I
I
C
Collector Current  
@ T = 100°C  
5
A
C
Pulsed Collector Current  
15  
10  
A
CM (1)  
T
Short Circuit Withstand Time  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Maximum Lead Temp. for soldering  
Purposes, 1/8” from case for 5 seconds  
@ T = 100°C  
µs  
W
W
°C  
°C  
SC  
C
P
@ T  
=
25°C  
74  
D
C
@ T = 100°C  
30  
C
T
-55 to +150  
-55 to +150  
J
T
stg  
T
300  
°C  
L
Notes :  
(1) Repetitive rating : Pulse width limited by max. junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ.  
--  
Max.  
Units  
°C/W  
°C/W  
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
1.68  
40  
θJC  
θJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
--  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
SGH5N120RUF Rev. B2  
1234567

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与SGH5N120RUFDTU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SGH5N120RUFTU FAIRCHILD

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-3P, 3 PIN
SGH80N60 FAIRCHILD

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 		Ultra-Fast IGBT
SGH80N60UF FAIRCHILD

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 		Ultra-Fast IGBT
SGH80N60UFD FAIRCHILD

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 		Ultrafast IGBT
SGH80N60UFDTU FAIRCHILD

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 		Ultrafast IGBT
SGHD-002GA-P0.2 ETC

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 		CONN TERMINAL GHD 30-26AWG
SGHD-002GA-P0.2 JST

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 		为满足平板电视、影音设备等PC板高密度封装的要求，该连接器设计成1.25mm间距的双排式。
SGHD-002T-C0.2A JST

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 		为了符合多种设备的高密度电路板的设计，GHD连接器设计成1.25mm间距，双排型的连接器。
SGHD-003GA-P0.2 JST

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 		为满足平板电视、影音设备等PC板高密度封装的要求，该连接器设计成1.25mm间距的双排式。
SGHD-003T-C0.2A JST

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 		为了符合多种设备的高密度电路板的设计，GHD连接器设计成1.25mm间距，双排型的连接器。

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