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SGC4363Z

更新时间: 2024-01-11 10:45:48
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威讯 - RFMD 射频微波
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6页 336K
描述
50MHz to 4000MHz ACTIVE BIAS SILICON GERMANIUM CASCADABLE GAIN BLOCK

SGC4363Z 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSSOP6,.08Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:5A991.GHTS代码:8542.33.00.01
风险等级:5.67特性阻抗:50 Ω
构造:COMPONENT增益:11.2 dB
最大输入功率 (CW):12 dBmJESD-609代码:e3
安装特点:SURFACE MOUNT功能数量:1
端子数量:6最大工作频率:4000 MHz
最小工作频率:50 MHz最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装等效代码:TSSOP6,.08电源:3 V
射频/微波设备类型:WIDE BAND LOW POWER子类别:RF/Microwave Amplifiers
最大压摆率:60 mA表面贴装:YES
技术:BIPOLAR端子面层:Matte Tin (Sn)
Base Number Matches:1

SGC4363Z 数据手册

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SGC4363Z  
Typical Performance with Bias Tee, VD = 3V, ID = 54mA  
NF vs. Frequency  
Current vs. Voltage  
6.0  
5.0  
4.0  
3.0  
2.0  
1.0  
80  
+25C  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
-40C  
+85C  
25C  
85C  
0
0.5  
1
1.5  
2
2.5  
3
3.5  
0
0.5  
1
1.5  
2
2.5  
3
3.5  
4
Frequency (GHz)  
Vd (V)  
|S21| over Frequency  
|S11| over Frequency  
24  
20  
16  
12  
8
0
-5  
-10  
-15  
-20  
-25  
-30  
25C  
-40C  
85C  
25C  
-40C  
85C  
4
0
0.5  
1
1.5  
2
2.5  
3
3.5  
4
0
0.5  
1
1.5  
2
2.5  
3
3.5  
4
Frequency (GHz)  
Frequency (GHz)  
|S12| over Frequency  
|S22| over Frequency  
0
0
-5  
-10  
-15  
-20  
-25  
-30  
-5  
-10  
-15  
-20  
-25  
-30  
25C  
-40C  
85C  
25C  
-40C  
85C  
0
0.5  
1
1.5  
2
2.5  
3
3.5  
4
0
0.5  
1
1.5  
2
2.5  
3
3.5  
4
Frequency (GHz)  
Frequency (GHz)  
7628 Thorndike Road, Greensboro, NC 27409-9421 · For sales or technical  
support, contact RFMD at (+1) 336-678-5570 or sales-support@rfmd.com.  
DS111011  
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