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SFT5151S.5S

更新时间： 2024-09-25 15:51:03

品牌	Logo	应用领域
SSDI		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	120K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SMD.5, 3 PIN

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SFT5151S.5S 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.07
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	10 A	基于收集器的最大容量：	250 pF
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	20	最大降落时间（tf）：	500 ns
JESD-30 代码：	R-XBCC-N3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	10 W
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	MIL-19500
最大上升时间（tr）：	1500 ns	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	60 MHz	最大关闭时间（toff）：	1900 ns
最大开启时间（吨）：	2000 ns	VCEsat-Max：	1.5 V
Base Number Matches：	1

SFT5151S.5S 数据手册

SFT5151 and SFT5153

Solid State Devices, Inc.

14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

10 AMP

DESIGNER’S DATA SHEET

Part Number / Ordering Information ^1/

POWER TRANSISTORS

SILICON PNP

SFT5151 __ __

SFT5153 __ __

100 VOLTS

10 WATTS

Screening ^2/__ = Not Screened

TX = TX Level

│

└

TXV = TXV Level

Features:

 Radiation Tolerant

= S Level

Package ^3/

 Fast Switching, 500 nsec max t_on

 High Frequency, Typical f_t= 100 MHz

 BVCEO 80 Volts Min

 High Linear Gain, Low Saturation Voltage

 200°C Operating Temperature

 Designed for Complementary Use with SFT5152 and

SFT5154

__ = TO-5

S.5 = SMD.5

 Replacement for 2N5151 and 2N5153

 TX, TXV, S-Level Screening Available^2/- Consult Factory

Maximum Ratings

Symbol

Value

Units

Collector – Emitter Voltage

Collector – Base Voltage

Emitter – Base Voltage

Collector Current

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

100

5.5

Volts

Amps

Base Current

I_B

2.5

Total Device Dissipation @ TC = 50°C

Derate above 50°C

66.6

mW/°C

P_D

Operating & Storage Temperature

Maximum Thermal Resistance

Top & Tstg

R_θJC

-65 to +200

°C

Junction to Case

°C/W

NOTES:

* Pulse Test: Pulse Width = 300µsec, Duty Cycle = 2%

TO-5

SMD.5

1/ For Ordering Information, Price, Operating Curves, and

Availability Contact Factory.

2/ Screening per MIL-PRF-19500

3/ For Package Outlines Contact Factory.

4/ Unless Otherwise Specified, All Electrical Characteristics

@25°C.

Available parts:

SFT5151, SFT5151S.5

SFT5153, SFT5153S.5

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: TR0109C

DOC

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SFT5151S.5TX	SSDI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SMD.5, 3 PIN
SFT5151S.5TXV	SSDI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SMD.5, 3 PIN
SFT5151S.5UB	SSDI	获取价格	暂无描述
SFT5151S.5UBS	SSDI	获取价格	Power Bipolar Transistor
SFT5151S.5UBTXV	SSDI	获取价格	Power Bipolar Transistor
SFT5151TX	SSDI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3
SFT5151TXV	SSDI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3
SFT5152	SSDI	获取价格	POWER TRANSISTORS SILICON NPN
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