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SFT1458-H

更新时间： 2024-11-09 19:41:07
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
5页 375K
描述
N-Channel Power MOSFET, 600V, 1.0A, 13Ω, Single TP/TP-FA, IPAK / TP, 500-BLKBG

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SFT1458-H 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Lifetime Buy
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.69
JESD-609代码：e6端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Base Number Matches：1

SFT1458-H 数据手册

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Ordering number : ENA2207  
SFT1458  
N-Channel Power MOSFET  
600V, 1.0A, 13Ω, Single TP/TP-FA  
http://onsemi.com  
Features  
• On-resistance R (on)=10Ω(typ.)  
• Input Capacitance Ciss=65pF(typ.)  
• Protection Diode in  
• 10V drive  
• Halogen free compliance  
DS  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25°C  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current (DC)  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
V
DSS  
600  
V
GSS  
30  
V
I
I
1
A
D
Drain Current (Pulse)  
PW≤10μs, duty cycle≤1%  
4
A
DP  
1
38  
W
W
°C  
°C  
Allowable Power Dissipation  
P
D
Tc=25°C  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
Tch  
150  
Tstg  
- 55 to +150  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating  
Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
Electrical Characteristics at Ta = 25°C  
Ratings  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
600  
typ  
max  
Drain to Source Breakdown Voltage  
Zero-Gate Voltage Drain Current  
Gate to Source Leakage Current  
Cutoff Voltage  
V(  
)
I
=10mA, V =0V  
V
μA  
μA  
V
BR DSS  
D
GS  
I
I
V
V
V
V
=480V, V =0V  
100  
DSS  
GSS  
(off)  
DS  
GS  
DS  
DS  
GS  
=±24V, V =0V  
DS  
10  
V
=10V, I =1mA  
3.5  
4.5  
GS  
| yfs |  
(on)  
D
Forward Transfer Admittance  
Static Drain to Source On-State Resistance  
Input Capacitance  
=10V, I =0.5A  
0.57  
S
D
R
I
=0.5A, V =10V  
D GS  
10  
65  
13  
Ω
DS  
Ciss  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
nC  
nC  
nC  
V
Output Capacitance  
Coss  
Crss  
V
=20V, f=1MHz  
20  
DS  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-ON Delay Time  
4.5  
6
t (on)  
d
Rise Time  
t
11  
r
See specified Test Circuit.  
Turn-OFF Delay Time  
Fall Time  
t (off)  
12  
d
t
60  
f
Total Gate Charge  
Qg  
3.8  
0.54  
2.3  
0.93  
Gate to Source Charge  
Gate to Drain “Miller” Charge  
Diode Forward Voltage  
Qgs  
Qgd  
V
=200V, V =10V, I =1A  
DS GS  
D
V
I =1A, V =0V  
GS  
1.2  
SD  
S
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 5 of this data sheet.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
October, 2013  
O1613 TKIM TC-00002994 No. A2207-1/5  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SFT1458-TL-H ONSEMI

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