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SFT16GA0G

更新时间： 2024-11-10 01:21:19
品牌 Logo 应用领域
TSC 瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
4页 377K
描述
Glass Passivated Super Fast Rectifiers

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SFT16GA0G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.71其他特性：HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.3 VJESD-30 代码：O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：30 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM最大重复峰值反向电压：400 V
最大反向恢复时间：0.035 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL

SFT16GA0G 数据手册

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SFT11G thru SFT18G  
Taiwan Semiconductor  
CREAT BY ART  
Glass Passivated Super Fast Rectifiers  
FEATURES  
- High efficiency, low VF  
- High current capability  
- High reliability  
- High surge current capability  
- Low power loss  
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and  
in accordance to WEEE 2002/96/EC  
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition  
MECHANICAL DATA  
Case: TS-1  
TS-1  
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0  
Base P/N with suffix "G" on packing code - halogen-free  
Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102  
Meet JESD 201 class 1A whisker test  
Weight: 0.2g (approximately)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ unless otherwise noted)  
SFT  
SFT  
SFT  
SFT  
SFT  
SFT  
SFT  
SFT  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT  
11G 12G 13G 14G 15G 16G 17G 18G  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
35  
50  
100  
70  
150  
105  
150  
200  
140  
200  
300  
210  
300  
400  
280  
400  
500  
350  
500  
600  
420  
600  
V
V
V
A
Maximum DC blocking voltage  
100  
Maximum average forward rectified current  
IF(AV)  
1
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
VF  
IR  
30  
A
V
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)  
@ 1 A  
0.95  
20  
1.3  
1.7  
5
Maximum reverse current @ rated VR TJ=25 ℃  
TJ=125 ℃  
μA  
100  
35  
Maximum reverse recovery time (Note 2)  
Typical junction capacitance (Note 3)  
Typical thermal resistance  
Trr  
Cj  
ns  
pF  
OC/W  
OC  
10  
RθJA  
TJ  
100  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
- 55 to +150  
- 55 to +150  
OC  
TSTG  
Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle  
Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A  
Note 3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C.  
Document Number: DS_D1312029  
Version: H13  
1234

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