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SFI9Z14

更新时间： 2024-09-15 22:22:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
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7页 278K
描述
Advanced Power MOSFET

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SFI9Z14 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-262AA包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
雪崩能效等级（Eas）：115 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.7 A最大漏极电流 (ID)：6.7 A
最大漏源导通电阻：0.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-262AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：38 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：27 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SFI9Z14 数据手册

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SFW/I9Z14  
Advanced Power MOSFET  
FEATURES  
BVDSS = -60 V  
n Avalanche Rugged Technology  
n Rugged Gate Oxide Technology  
n Lower Input Capacitance  
Ω
RDS(on) = 0.5  
ID = -6.7 A  
n Improved Gate Charge  
n Extended Safe Operating Area  
n 175oC Operating Temperature  
n Lower Leakage Current : 10 µA (Max.) @ VDS = -60V  
n Low RDS(ON) : 0.362 Ω (Typ.)  
D2-PAK  
I2-PAK  
2
1
1
2
3
3
1. Gate 2. Drain 3. Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Characteristic  
Value  
-60  
Units  
VDSS  
Drain-to-Source Voltage  
V
Continuous Drain Current (TC=25oC)  
Continuous Drain Current (TC=100oC)  
Drain Current-Pulsed  
-6.7  
-4.7  
-27  
ID  
A
1
IDM  
VGS  
EAS  
IAR  
A
V
O
2
Gate-to-Source Voltage  
±30  
115  
-6.7  
3.8  
O
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
1
O
1
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
mJ  
V/ns  
W
O
3
Peak Diode Recovery dv/dt  
-5.5  
3.8  
O
o
*
Total Power Dissipation (TA=25 C)  
Total Power Dissipation (TC=25oC)  
Linear Derating Factor  
PD  
38  
W
W/oC  
0.25  
Operating Junction and  
TJ , TSTG  
- 55 to +175  
300  
Storage Temperature Range  
oC  
Maximum Lead Temp. for Soldering  
Purposes, 1/8” from case for 5-seconds  
TL  
Thermal Resistance  
Symbol  
Characteristic  
Typ.  
Max.  
Units  
RθJC  
Junction-to-Case  
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Ambient  
--  
--  
--  
3.95  
40  
oC/W  
RθJA  
RθJA  
*
62.5  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount).  
Rev. C  
1234567

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