SFI9Z24

更新时间： 2024-11-05 21:54:59

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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7页	280K
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Advanced Power MOSFET

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SFI9Z24 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-262AA	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	161 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9.7 A
最大漏极电流 (ID)：	9.7 A	最大漏源导通电阻：	0.28 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	49 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SFI9Z24 数据手册

SFW/I9Z24

Advanced Power MOSFET

FEATURES

BV_DSS= -60 V

n Avalanche Rugged Technology

n Rugged Gate Oxide Technology

n Lower Input Capacitance

Ω

R_DS(on)= 0.28

I_D= -9.7 A

n Improved Gate Charge

n Extended Safe Operating Area

n 175^oC Operating Temperature

n Lower Leakage Current : 10 µA (Max.) @ V_DS= -60V

n Low R_DS(ON): 0.206 Ω (Typ.)

D²-PAK

I²-PAK

1. Gate 2. Drain 3. Source

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Characteristic

Value

-60

Units

V_DSS

Drain-to-Source Voltage

Continuous Drain Current (T_C=25^oC)

Continuous Drain Current (T_C=100^oC)

Drain Current-Pulsed

-9.7

-6.8

-40

I_D

I_DM

V_GS

E_AS

I_AR

Gate-to-Source Voltage

±30

161

-9.7

4.9

Single Pulsed Avalanche Energy

Avalanche Current

E_AR

dv/dt

Repetitive Avalanche Energy

V/ns

Peak Diode Recovery dv/dt

-5.5

3.8

Total Power Dissipation (T_A=25 C)

Total Power Dissipation (T_C=25^oC)

Linear Derating Factor

P_D

W/^oC

0.33

Operating Junction and

T_J, T_STG

- 55 to +175

300

Storage Temperature Range

^oC

Maximum Lead Temp. for Soldering

Purposes, 1/8” from case for 5-seconds

T_L

Thermal Resistance

Symbol

Characteristic

Typ.

Max.

Units

R_θJC

Junction-to-Case

Junction-to-Ambient

3.06

^oC/W

R_θJA

62.5

* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount).

Rev. C

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SFI9Z34	FAIRCHILD	获取价格	Advanced Power MOSFET
SFI-A1608-101	SUMIDA	获取价格	Multilayer Chip Ferrite Inductors
SFI-A1608-101-KJB	SUMIDA	获取价格	General Purpose Inductor, 0.1uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 1608, CHIP, 1608, ROHS
SFI-A1608-101-KJL	SUMIDA	获取价格	General Purpose Inductor, 0.1uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 1608, CHIP, 1608, ROHS
SFI-A1608-101-KJT	SUMIDA	获取价格	General Purpose Inductor, 0.1uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 1608, CHIP, 1608, ROHS
SFI-A1608-121	SUMIDA	获取价格	Multilayer Chip Ferrite Inductors
SFI-A1608-121-KJT	SUMIDA	获取价格	General Purpose Inductor, 0.12uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 1608, CHIP, 1608, ROH
SFI-A1608-151	SUMIDA	获取价格	Multilayer Chip Ferrite Inductors
SFI-A1608-151-KJL	SUMIDA	获取价格	General Purpose Inductor, 0.15uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 1608, CHIP, 1608, ROH
SFI-A1608-151-MJB	SUMIDA	获取价格	General Purpose Inductor, 0.15uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 1608, CHIP, 1608, ROH

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