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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SFF80N20MUBTX
SFF80N20MUBTX PDF预览

SFF80N20MUBTX

更新时间： 2024-02-01 21:57:39
品牌 Logo 应用领域
SSDI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
3页 183K
描述
Avalanche Rated N-channel MOSFET

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SFF80N20MUBTX 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-254AA
包装说明：FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.61雪崩能效等级（Eas）：1500 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (ID)：55 A
最大漏源导通电阻：0.03 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-254AAJESD-30 代码：S-XSFM-P3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：SQUARE封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SFF80N20MUBTX 数据手册

 浏览型号SFF80N20MUBTX的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SFF80N20MUBTX的Datasheet PDF文件第3页 
SFF80N20 Series  
Solid State Devices, Inc.  
14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638  
Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773  
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com  
80 AMP , 200 Volts, 25 mΩ  
Avalanche Rated N-channel  
MOSFET  
DESIGNER’S DATA SHEET  
Part Number / Ordering Information 1/  
SFF80N20 ___ ___ ___  
Screening 2/  
__ = Not Screened  
TX = TX Level  
TXV = TXV Level  
S = S Level  
│
│
│
│
│
│
│
│
└
│
│
│
│
│
└
└
Features:  
Rugged poly-Si gate  
Lowest ON-resistance in the industry  
Avalanche rated  
Hermetically Sealed, Isolated Package  
Low Total Gate Charge  
Fast Switching  
Lead Option 3/  
__ = Straight Leads  
DB = Down Bend  
UB = Up Bend  
Package 3/ 4/  
M = TO-254  
TX, TXV, S-Level screening available  
Improved (RDS(ON) QG) figure of merit  
N = TO-258  
P = TO-259  
Z = TO-254Z  
Maximum Ratings5/  
Symbol  
VDSS  
Value  
Units  
V
Drain - Source Voltage  
200  
±20  
±30  
continuous  
transient  
Gate – Source Voltage  
VGS  
ID1  
V
A
Max. Continuous Drain Current (package  
limited)  
55  
@ TC = 25ºC  
@ TC = 25ºC  
@ TC = 175ºC  
ID2  
ID3  
80  
48  
Max. Instantaneous Drain Current (Tj limited)  
Max. Avalanche current  
A
A
@ L= 0.1 mH  
@ L= 0.1 mH  
@ TC = 25ºC  
IAR  
60  
EAS  
EAR  
1500  
50  
Single and Repetitive Avalanche Energy  
mJ  
Total Power Dissipation  
150  
W
PD  
Operating & Storage Temperature  
-55 to +175  
ºC  
T
OP & TSTG  
Maximum Thermal Resistance  
(Junction to Case)  
1.0  
(typ.0.75)  
RθJC  
ºC/W  
TO-254 (M)  
TO-254Z (Z)  
TO-258 (N)  
TO-259 (P)  
NOTES:  
*Pulse Test: Pulse Width = 300µsec, Duty Cycle = 2%.  
1/ For ordering information, price, and availability - contact factory.  
2/ Screening based on MIL-PRF-19500. Screening flows available on request.  
3/ For lead bending options / pinout configurations - contact factory.  
4/ Maximum current limited by package configuration  
5/ Unless otherwise specified, all electrical characteristics @25oC.  
NOTE: All specifications are subject to change without notification.  
SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.  
DATA SHEET #: F00129H  
DOC  
123

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