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SFF80N20ZUBTX

更新时间： 2024-02-16 12:36:29

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SSDI		晶体晶体管功率场效应晶体管开关局域网
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描述
Avalanche Rated N-channel MOSFET

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SFF80N20ZUBTX 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-254AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.61	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (ID)：	55 A
最大漏源导通电阻：	0.03 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-254AA	JESD-30 代码：	S-XSFM-P3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SFF80N20ZUBTX 数据手册

SFF80N20 Series

Solid State Devices, Inc.

14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

80 AMP , 200 Volts, 25 mΩ

Avalanche Rated N-channel

MOSFET

DESIGNER’S DATA SHEET

Part Number / Ordering Information ^1/

SFF80N20 ___ ___ ___

Screening ^2/

__ = Not Screened

TX = TX Level

TXV = TXV Level

S = S Level

│

└

│

└

Features:



Rugged poly-Si gate

Lowest ON-resistance in the industry

Avalanche rated

Hermetically Sealed, Isolated Package

Low Total Gate Charge

Fast Switching

Lead Option ^3/

__ = Straight Leads

DB = Down Bend

UB = Up Bend



Package ^{3/ 4/}

M = TO-254

TX, TXV, S-Level screening available

Improved (R_DS(ON)Q_G) figure of merit

N = TO-258

P = TO-259

Z = TO-254Z

Maximum Ratings^5/

Symbol

V_DSS

Value

Units

Drain - Source Voltage

200

±20

±30

continuous

transient

Gate – Source Voltage

V_GS

I_D1

Max. Continuous Drain Current (package

limited)

@ T_C= 25ºC

@ T_C= 175ºC

I_D2

I_D3

Max. Instantaneous Drain Current (Tj limited)

Max. Avalanche current

@ L= 0.1 mH

@ T_C= 25ºC

I_AR

E_AS

E_AR

1500

Single and Repetitive Avalanche Energy

Total Power Dissipation

150

P_D

Operating & Storage Temperature

-55 to +175

ºC

_OP& T_STG

Maximum Thermal Resistance

(Junction to Case)

1.0

(typ.0.75)

R_θJC

ºC/W

TO-254 (M)

TO-254Z (Z)

TO-258 (N)

TO-259 (P)

NOTES:

*Pulse Test: Pulse Width = 300µsec, Duty Cycle = 2%.

1/ For ordering information, price, and availability - contact factory.

2/ Screening based on MIL-PRF-19500. Screening flows available on request.

3/ For lead bending options / pinout configurations - contact factory.

4/ Maximum current limited by package configuration

5/ Unless otherwise specified, all electrical characteristics @25^oC.

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: F00129H

DOC

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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SFF81	MIC	HIGH EFFICIENCY GLASS PASSIVATED RECTIFIER	获取价格
SFF82	MIC	HIGH EFFICIENCY GLASS PASSIVATED RECTIFIER	获取价格
SFF83	MIC	HIGH EFFICIENCY GLASS PASSIVATED RECTIFIER	获取价格
SFF84	MIC	HIGH EFFICIENCY GLASS PASSIVATED RECTIFIER	获取价格
SFF840	SEMIWELL	N-Channel MOSFET	获取价格

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