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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.76 |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 12 A | 最大漏源导通电阻： | 0.3 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-254AA |
| JESD-30 代码： | S-XSFM-P3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SFF9130MS | SSDI |
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暂无描述 |
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| SFF9130MTX | SSDI |
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Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SFF9130MTXV | SSDI |
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Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SFF9130MUB | SSDI |
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Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SFF9130MUBS | SSDI |
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Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| SFF9130MUBTX | SSDI |
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Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SFF9130MUBTXV | SSDI |
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Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SFF9130S.5 | SSDI |
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-11 A, -100 V, 0.30 Ω P-Channel Power MOSFET |
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| SFF9130V | SSDI |
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Transistor |
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| SFF9130VGZ | SSDI |
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Transistor |
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