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SFF9130MUBTX

更新时间： 2024-01-29 13:12:55

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3页	153K
描述
Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SFF9130MUBTX 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.64
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	11 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	63 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

SFF9130MUBTX 数据手册

SFF9130M

SFF9130Z

Solid State Devices, Inc.

14701 Firestone Blvd * La Mirada, CA 90638

Phone: (562) 404-4470 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

DESIGNER’S DATA SHEET

Part Number / Ordering Information ^1/

-11 AMP

P-Channel POWER MOSFET

100 Volts

SFF9130

__ __ __

Screening^2/

__ = Not Screened

TX = TX Level

TXV = TXV Level

S = S Level

│

└

│

└

0.30 Ω typical

Features:

Lead Option

__ = Straight Leads

DB = Down Bend

UB = Up Bend



Rugged Construction with Poly Silicon Gate

Low RDS(on) and High Transconductance

Excellent High Temperature Stability

Very Fast Switching Speed

Fast Recovery and Superior dv/dt Performance

Increased Reverse Energy Capability

Low Input and Transfer Capacitance for Easy

Paralleling

Package

M = TO-254

Z = TO-254Z



Hermetically Sealed

TX, TXV, and Space Level Screening Available

Replaces IRF9130 Types

Maximum Ratings^3/

Drain – Source Voltage

Gate – Source Voltage

Symbol

V_DS

Value

-100

Units

V_GS

+20

T_C= 25ºC

T_C= 100ºC

-11

-7

Continuous Drain Current

I_D

Operating & Storage Temperature

T_OP& T_STG

R_JC

-55 to +150

ºC

Thermal Resistance, Junction to Case

ºC/W

T_C= 25ºC

T_C= -55ºC

Total Device Power Dissipation

P_D

Watts

Single Pulse Avalanche Energy

Repetitive Avalanche Energy

E_AS

E_AR

7.5

NOTES:

TO-254 (M)

TO-254Z (Z)

*Pulse Test: Pulse Width = 300µsec, Duty Cycle = 2%.

1/ For ordering information, price, and availability - contact factory.

2/ Screening based on MIL-PRF-19500. Screening flows available on request.

3/ Unless otherwise specified, all electrical characteristics @25^oC.

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: FP0025E

DOC

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SFF9130MUBTXV	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SFF9130V	SSDI	获取价格	Transistor
SFF9130VGZ	SSDI	获取价格	Transistor
SFF9130Z	SSDI	获取价格	-11 AMP -100 VOLTS 0.30 ohm P-Channel Power MOSFET
SFF9130ZDB	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SFF9130ZDBTX	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SFF9130ZTXV	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SFF9130ZUBTXV	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SFF9140	SSDI	获取价格	-18 AMP -100 VOLTS 0.20 ohm P-Channel Power MOSFET
SFF9140	FAIRCHILD	获取价格	Advanced Power MOSFET

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