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SF808G

更新时间： 2024-01-25 17:29:39
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鲁光 - LGE /
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2页 239K
描述
8.0AMP. Glass Passivated Super Fast Rectifiers

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SF808G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：GREEN, PLASTIC PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.69其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.7 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：125 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：4 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向恢复时间：0.035 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Pure Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

SF808G 数据手册

 浏览型号SF808G的Datasheet PDF文件第2页 
SF801G-SF808G  
8.0AMP. Glass Passivated Super Fast Rectifiers  
TO-220AB  
Features  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
High efficiency, low VF  
High current capability  
High reliability  
High surge current capability  
Low power loss.  
For use in low voltage, high frequency inventor, free  
wheeling, and polarity protection application  
Mechanical Data  
ꢀ
ꢀ
Case: TO-220AB Molded plastic  
Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant  
ꢀ
ꢀ
Polarity: As marked  
High temperature soldering guaranteed:  
o
Dimensions in inches and (millimeters)  
260 C/10 seconds .16”,(4.06mm) from case.  
ꢀ
Weight: 2.24 grams  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
o
Rating at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
SF  
SF  
SF  
SF  
SF  
SF  
SF  
SF  
Symbol  
Units  
Type Number  
801G 802G 83G 804G 805G 806G 807G 808G  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50 100 150 200 300 400 500 600  
35 70 105 140 210 280 350 480  
50 100 150 200 300 400 500 600  
V
V
V
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward Rectified  
Current .375 (9.5mm) Lead Length  
I(AV)  
8.0  
A
o
@TC = 100 C  
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single  
Half Sine-wave Superimposed on Rated  
Load (JEDEC method )  
IFSM  
125  
A
V
Maximum Instantaneous Forward Voltage  
@ 4.0A  
VF  
0.975  
1.3  
1.7  
Maximum DC Reverse Current  
o
@TA=25 C at Rated DC Blocking Voltage  
o
10  
uA  
uA  
IR  
@ TA=100 C  
400  
Maximum Reverse Recovery Tim (Note 1)  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
Typical Thermal Resistance (Note 3)  
Operating Temperature Range TJ  
Trr  
Cj  
35  
nS  
pF  
70  
50  
o
3.0  
C/W  
R
θJC  
o
TJ  
-65 to +150  
-65 to +150  
C
o
Storage Temperature Range TSTG  
TSTG  
C
1. Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A  
2. Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 V D.C.  
3. Thermal Resistance from Junction to Case Mounted on Heatsink Size of 2” x 3” x 0.25” Al-Plate.  
Notes:  
http://www.luguang.cn  
mail:lge@luguang.cn  
12

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