生命周期: | Obsolete | 包装说明: | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8541.30.00.80 |
风险等级: | 5.71 | 外壳连接: | ANODE |
配置: | SINGLE | 关态电压最小值的临界上升速率: | 200 V/us |
最大直流栅极触发电流: | 150 mA | 最大直流栅极触发电压: | 3 V |
最大维持电流: | 200 mA | JESD-30 代码: | O-MUPM-H3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | POST/STUD MOUNT | 认证状态: | Not Qualified |
最大均方根通态电流: | 126 A | 重复峰值关态漏电流最大值: | 15000 µA |
断态重复峰值电压: | 400 V | 重复峰值反向电压: | 400 V |
表面贴装: | NO | 端子形式: | HIGH CURRENT CABLE |
端子位置: | UPPER | 触发设备类型: | SCR |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
SF80G2H1 | TOSHIBA | 暂无描述 |
获取价格 |
|
SF80G4B1 | TOSHIBA | Silicon Controlled Rectifier, 400 V, SCR |
获取价格 |
|
SF80J11 | TOSHIBA | SILICON CONTROLLED RECTIFIER,600V V(DRM),126A I(T),STF-M24 |
获取价格 |
|
SF80J6S3 | TOSHIBA | SF80J6S3 |
获取价格 |
|
SF80L13 | TOSHIBA | Silicon Controlled Rectifier, 126 A, 800 V, SCR |
获取价格 |
|
SF80L4B1 | TOSHIBA | Silicon Controlled Rectifier, 800 V, SCR |
获取价格 |