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SF80R13

更新时间: 2024-02-27 14:08:44
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东芝 - TOSHIBA 栅极
页数 文件大小 规格书
2页 122K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 126 A, 1300 V, SCR

SF80R13 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.75外壳连接:ANODE
配置:SINGLE关态电压最小值的临界上升速率:200 V/us
最大直流栅极触发电流:150 mA最大直流栅极触发电压:3 V
最大维持电流:200 mAJESD-30 代码:O-MUPM-H3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:126 A重复峰值关态漏电流最大值:15000 µA
断态重复峰值电压:1300 V重复峰值反向电压:1300 V
表面贴装:NO端子形式:HIGH CURRENT CABLE
端子位置:UPPER触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

SF80R13 数据手册

 浏览型号SF80R13的Datasheet PDF文件第2页 

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