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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.71 | 外壳连接： | ANODE |
| 配置： | SINGLE | 关态电压最小值的临界上升速率： | 200 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 150 mA | 最大直流栅极触发电压： | 3 V |
| 最大维持电流： | 200 mA | JESD-30 代码： | O-MUPM-H3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 126 A | 重复峰值关态漏电流最大值： | 15000 µA |
| 断态重复峰值电压： | 800 V | 重复峰值反向电压： | 800 V |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE |
| 端子位置： | UPPER | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SF80L4B1 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 800 V, SCR |
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| SF80L6A1 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 800 V, SCR |
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| SF80N11 | TOSHIBA |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1KV V(DRM),126A I(T),STF-M24 |
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| SF80N13 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 126 A, 1000 V, SCR |
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| SF80Q13 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 126 A, 1200 V, SCR |
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| SF80Q2H2 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1200 V, SCR |
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| SF80Q6S2 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1200 V, SCR |
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| SF80Q6S3 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1200 V, SCR |
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| SF80R11 | TOSHIBA |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.3KV V(DRM),126A I(T),STF-M24 |
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| SF80R13 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 126 A, 1300 V, SCR |
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