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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.71 |
| 外壳连接： | ANODE | 配置： | SINGLE |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 200 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 150 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 3 V | 最大维持电流： | 200 mA |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-H3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 126 A |
| 重复峰值关态漏电流最大值： | 15000 µA | 断态重复峰值电压： | 200 V |
| 重复峰值反向电压： | 200 V | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE | 端子位置： | UPPER |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SF80G11 | TOSHIBA |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),126A I(T),STF-M24 |
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| SF80G15 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 126 A, 400 V, SCR |
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| SF80G2H1 | TOSHIBA |
获取价格 |
暂无描述 |
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| SF80G4B1 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 400 V, SCR |
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| SF80J11 | TOSHIBA |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,600V V(DRM),126A I(T),STF-M24 |
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| SF80J6S3 | TOSHIBA |
获取价格 |
SF80J6S3 |
|
| SF80L13 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 126 A, 800 V, SCR |
|
| SF80L4B1 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 800 V, SCR |
|
| SF80L6A1 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 800 V, SCR |
|
| SF80N11 | TOSHIBA |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1KV V(DRM),126A I(T),STF-M24 |
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