捷配DataSheet查询网关于“ZXMN10A08”相关器件DataSheet数据手册20个
| 型号 | Logo | 品牌 | 价格 | 文档 | 应用 | 描述 |
| ZXMN10A08 |  |
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100V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET | |
| ZXMN10A08DN8 |  |
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100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
| ZXMN10A08DN8 | |
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100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
| ZXMN10A08DN8TA | |
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晶体晶体管开关脉冲光电二极管 | 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN10A08DN8TA | |
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晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管 | 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN10A08DN8TC | |
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晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管 | 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN10A08DN8TC | |
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晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管 | 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN10A08E6 | |
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100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
| ZXMN10A08E6 | |
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100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
| ZXMN10A08E6QTA | |
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Small Signal Field-Effect Transistor, | |
| ZXMN10A08E6TA | |
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晶体晶体管开关光电二极管 | 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN10A08E6TA | |
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晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管 | 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN10A08E6TC | |
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晶体晶体管开关光电二极管 | 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN10A08E6TC | |
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晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管 | 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMN10A08E6_05 | |
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100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
| ZXMN10A08G | |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
| ZXMN10A08G | |
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100V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET | |
| ZXMN10A08G (KXMN10A08G) |  |
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N-Channel MOSFET | |
| ZXMN10A08GTA | |
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晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管 | 100V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET |
| ZXMN10A08GTA | |
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栅栅极 | 漏源电压Vdss(V):100V;额定电流Id(A):2A (Ta);最大导通阻抗Ron(mΩ):250 mOhm @ 3.2A, 10V;类型:N-Channel;栅极电荷Qg(nC):7.7nC @ 10V;最大耗散功率Pd(W):2W (Ta);栅源耐压Vgs(V):±20V;最小工作温度(℃ |
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