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SDT10S30

更新时间： 2024-11-04 21:54:59
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英飞凌 - INFINEON 整流二极管肖特基二极管局域网
页数 文件大小 规格书
9页 579K
描述
Silicon Carbide Schottky Diode

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SDT10S30 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AC包装说明：R-PSFM-T2
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.8
Is Samacsys：N应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON CARBIDE二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.7 VJEDEC-95代码：TO-220AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：36 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：65 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：300 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：MATTE TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

SDT10S30 数据手册

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SDP10S30, SDB10S30  
SDT10S30  
Preliminary data  
Silicon Carbide Schottky Diode  
Revolutionary semiconductor  
material - Silicon Carbide  
Product Summary  
V
V
300  
RRM  
Switching behavior benchmark  
No reverse recovery  
No temperature influence on  
the switching behavior  
No forward recovery  
Q
23  
nC  
A
c
I
10  
F
P-TO220-2-2.  
P-TO220-3.SMD  
P-TO220-3-1.  
Type  
SDP10S30  
Package  
P-TO220-3-1.  
Ordering Code  
Q67040-S4372  
Marking Pin 1  
PIN 2 PIN 3  
D10S30  
D10S30  
D10S30  
n.c.  
n.c.  
C
C
C
A
A
A
SDB10S30  
SDT10S30  
P-TO220-3.SMD Q67040-S4373  
P-TO220-2-2. Q67040-S4447  
Maximum Ratings,at T = 25 °C, unless otherwise specified  
j
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
I
10  
14  
36  
A
Continuous forward current, T =100°C  
RMS forward current, f=50Hz  
F
C
I
FRMS  
Surge non repetitive forward current, sine halfwave I  
FSM  
T =25°C, t =10ms  
C
p
Repetitive peak forward current  
I
45  
FRM  
T =150°C, T =100°C, D=0.1  
j
C
Non repetitive peak forward current  
I
100  
FMAX  
t =10µs, T =25°C  
p
C
2
2
6.5  
300  
300  
65  
i t value, T =25°C, t =10ms  
i dt  
A²s  
V
C
p
Repetitive peak reverse voltage  
V
RRM  
RSM  
tot  
Surge peak reverse voltage  
V
P
W
Power dissipation, T =25°C  
C
°C  
Operating and storage temperature  
T , T  
-55... +175  
j
stg  
Page 1  
2001-12-04  
1234567...9

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SDT10S30 替代型号

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