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SDR640CT

更新时间: 2024-11-12 04:32:23
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SSDI /
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2页 321K
描述
80 AMPS 100 - 200 VOLTS 35 nsec HYPER FAST CENTERTAP RECTIFIER

SDR640CT 技术参数

生命周期:Active包装说明:HERMETIC SEALED, MILPACK-3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.76应用:HYPER FAST RECOVERY
外壳连接:CATHODE配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.1 VJESD-30 代码:R-CBCC-N3
最大非重复峰值正向电流:500 A元件数量:2
相数:1端子数量:3
最高工作温度:200 °C最大输出电流:40 A
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:100 V最大反向恢复时间:0.035 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:BOTTOM
Base Number Matches:1

SDR640CT 数据手册

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