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SDR622ZUBTXV

更新时间： 2024-11-12 19:27:39

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SSDI		超快速恢复二极管局域网
页数	文件大小	规格书
2页	227K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, TO-254Z, 3 PIN

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SDR622ZUBTXV 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-254Z
包装说明：	S-XSFM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.59
应用：	HYPER FAST RECOVERY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	S-XSFM-P3
最大非重复峰值正向电流：	300 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	3
最大输出电流：	20 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	200 V
最大反向恢复时间：	0.035 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

SDR622ZUBTXV 数据手册

SDR620J, M & Z

Thru

Solid State Devices, Inc.

14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

SDR622J, M & Z

Designer’s Data Sheet

Part Number/Ordering Information ^1/

20A, 35nsec, 100-200 V

Hyper Fast Rectifier

SDR620

__ __ __ __

└

│

└

Screening ^2/__ = Not Screened

TX = TX Level

│

└

│

└

│

└

TXV = TXV Level

S = S Level

Features:

Leg Bend Option __ = Straight

•

Hyper Fast Recovery: 35nsec Maximum ^3/

Low Reverse Leakage Current

Low Junction Capacitance

(See Figure 1)

DB = Down Bend

UB = Up Bend

Package J = TO-257

M = TO-254

Hermetically Sealed Isolated Package

Higher Voltages Available

Available in Centertap Versions

Replaces 1N5816 and 1N5816R

Z = TO-254Z

Pin Configuration __ = Normal

(See Table 1) R = Reverse

TX, TXV, and S-Level Screening Available ^2/

Family/Voltage SDR620 = 100V

SDR621 = 150V

SDR622 = 200V

Maximum Ratings ^4/

Symbol

Value

Units

SDR620J, M & Z

SDR621J, M & Z

SDR622J, M & Z

V_RRM

V_RWM

V_R

100

150

200

Peak Repetitive Reverse Voltage

Volts

Average Rectified Forward Current

I_FSM

300

Amps

ºC

(Resistive Load, 60 Hz Sine Wave, T_A= 25 °C)

Peak Surge Current

(8.3 ms Pulse, Half Sine Wave, T_A= 25 °C, per leg)

Operating & Storage Temperature

T_OP& T_STG

-65 to +200

Maximum Total Thermal Resistance

J (TO-257)

M (TO-254)

Z (TO-254Z)

2.1

1.2

Junction to Case

ºC/W

R_θJC

Notes:

1/ For ordering information, Price, Operating Curves, and Availability- Contact Factory.

2/ Screened to MIL-PRF-19500.

3/ Recovery Conditions: I_F= 500 mA, I_R= 1 Amp, I_RR= 250 mA.

4/ Unless Otherwise Specified, All Maximum Ratings/Electrical Characteristics @25°C.

TO-257 (J)

TO-254 (M)

TO-254Z (Z)

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

DATA SHEET #: RC0031C

DOC

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SDR623	SSDI	获取价格	20A 35nsec 300-600 V Hyper Fast Rectifier
SDR623/59	SSDI	获取价格	20A 35nsec 300-600 V Hyper Fast Rectifier
SDR623-59	SSDI	获取价格	Hyper Fast Rectifier
SDR623CACS	SSDI	获取价格	Rectifier Diode,
SDR623CACTX	SSDI	获取价格	Rectifier Diode,
SDR623CACTXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode,
SDR623CAJ	SSDI	获取价格	40 A, 300 V Hyperfast Recovery Centertap Rectifier
SDR623CAM	SSDI	获取价格	40 A, 300 V Hyperfast Recovery Centertap Rectifier
SDR623CAMTXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 40A, 300V V(RRM),
SDR623CAMU	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 40A, 300V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED,

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