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SDR622ZUBTXV

更新时间： 2024-02-25 14:36:47

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SSDI		超快速恢复二极管局域网
页数	文件大小	规格书
2页	227K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, TO-254Z, 3 PIN

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SDR622ZUBTXV 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-254Z
包装说明：	S-XSFM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.59
应用：	HYPER FAST RECOVERY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	S-XSFM-P3
最大非重复峰值正向电流：	300 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	3
最大输出电流：	20 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	200 V
最大反向恢复时间：	0.035 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

SDR622ZUBTXV 数据手册

SDR620J, M & Z

Thru

Solid State Devices, Inc.

14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

SDR622J, M & Z

Designer’s Data Sheet

Part Number/Ordering Information ^1/

20A, 35nsec, 100-200 V

Hyper Fast Rectifier

SDR620

__ __ __ __

└

│

└

Screening ^2/__ = Not Screened

TX = TX Level

│

└

│

└

│

└

TXV = TXV Level

S = S Level

Features:

Leg Bend Option __ = Straight

•

Hyper Fast Recovery: 35nsec Maximum ^3/

Low Reverse Leakage Current

Low Junction Capacitance

(See Figure 1)

DB = Down Bend

UB = Up Bend

Package J = TO-257

M = TO-254

Hermetically Sealed Isolated Package

Higher Voltages Available

Available in Centertap Versions

Replaces 1N5816 and 1N5816R

Z = TO-254Z

Pin Configuration __ = Normal

(See Table 1) R = Reverse

TX, TXV, and S-Level Screening Available ^2/

Family/Voltage SDR620 = 100V

SDR621 = 150V

SDR622 = 200V

Maximum Ratings ^4/

Symbol

Value

Units

SDR620J, M & Z

SDR621J, M & Z

SDR622J, M & Z

V_RRM

V_RWM

V_R

100

150

200

Peak Repetitive Reverse Voltage

Volts

Average Rectified Forward Current

I_FSM

300

Amps

ºC

(Resistive Load, 60 Hz Sine Wave, T_A= 25 °C)

Peak Surge Current

(8.3 ms Pulse, Half Sine Wave, T_A= 25 °C, per leg)

Operating & Storage Temperature

T_OP& T_STG

-65 to +200

Maximum Total Thermal Resistance

J (TO-257)

M (TO-254)

Z (TO-254Z)

2.1

1.2

Junction to Case

ºC/W

R_θJC

Notes:

1/ For ordering information, Price, Operating Curves, and Availability- Contact Factory.

2/ Screened to MIL-PRF-19500.

3/ Recovery Conditions: I_F= 500 mA, I_R= 1 Amp, I_RR= 250 mA.

4/ Unless Otherwise Specified, All Maximum Ratings/Electrical Characteristics @25°C.

TO-257 (J)

TO-254 (M)

TO-254Z (Z)

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

DATA SHEET #: RC0031C

DOC

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

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与SDR622ZUBTXV相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SDR623	SSDI	获取价格	20A 35nsec 300-600 V Hyper Fast Rectifier
SDR623/59	SSDI	获取价格	20A 35nsec 300-600 V Hyper Fast Rectifier
SDR623-59	SSDI	获取价格	Hyper Fast Rectifier
SDR623CACS	SSDI	获取价格	Rectifier Diode,
SDR623CACTX	SSDI	获取价格	Rectifier Diode,
SDR623CACTXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode,
SDR623CAMTXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 40A, 300V V(RRM),
SDR623CAMU	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 40A, 300V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED,
SDR623CAMUTX	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 40A, 300V V(RRM),
SDR623CAMUTXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 40A, 300V V(RRM),

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